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CT-ΣΔ调制器电路实现技术
Maloberti §7.3-§7.5 的特色在于从电路实现角度深入 CT-ΣΔ 调制器：涵盖 MOSFET-C/Gm-C/电流模三种积分器拓扑的详细分析、抖动功率的精确公式推导、DT→CT 脉冲不变变换的完整步骤、带通 ΣΔ 的变换实现，以及 ΣΔ DAC 的双 RTZ 技术。 1.
连续与离散时间信号基础
连续与离散时间信号基础 Oppenheim S&S Ch.1 建立信号与系统分析的数学基础：CT/DT 信号定义、能量与功率分类、自变量变换、周期性与奇偶分解、基本信号（指数/正弦/冲激/阶跃）、系统六大性质。这是全书后续所有章节的公共语言。 CT 与 DT 信号 连续时间信号 x(t)：自变量 t 取连续实数值，在连续区间上定义。 离散时间信号 x[n]：自变量 n 取整数值，仅在离散时刻定义（也称为”序列”）。 标记约定：CT 用圆括号 x(t)，DT 用方括号 x[n]。 DT 信号可由 CT 信号采样得到：x[n]=x(nTs)，其中 Ts 为采样周期。 信号能量与平均功率...
连续时间Gm-C滤波器与片上自动调谐
连续时间 Gm-C 滤波器与片上自动调谐 概述 EE247 课程在讨论完 Opamp-RC 积分器型滤波器后，引入 Gm-C（跨导-电容）滤波器作为高频连续时间滤波器的首选方案。同时，由于片上 RC 时间常数工艺偏差可达 ±20-30%，必须引入自动调谐电路来校准滤波器的频率响应。 Gm-C 积分器 基本结构 核心：跨导单元（Gm 单元）驱动积分电容 C 传递函数：H(s)=Gm/(sC)（与 Opamp-RC 积分器形式相同） 优点：无运放 → 可工作到更高频率（>10MHz），适合射频/中频应用 缺点：线性度受 Gm 单元限制，不如 Opamp-RC 源耦合对（Source-Cou...
CT-ΔΣ环路滤波器拓扑与建模方法
CT-ΔΣ 环路滤波器拓扑与建模方法 CT-ΔΣ 的环路滤波器有多种拓扑（CIFB/CIFF/CIFF-B/CRFB），各具不同的 STF 滚降、积分器摆幅和设计折衷。通过连续时间状态空间描述和离散化，CT-ΔΣ 可转化为等效 DT 系统进行仿真验证，动态范围缩放则平衡噪声和摆幅约束。 前后关系 上下文：在前几节建立 CT-ΔΣ 基本原理（§8.1-§8.2）和 DAC 脉冲形状效应（§8.3-§8.4）后，§8.5-§8.8 转向环路滤波器的具体实现拓扑以及仿真和设计方法学。 前置知识： CT-ΔΣ调制基础与一阶CT-MOD1 — 脉冲不变变换 高阶CT-ΔΣ调制与DAC脉冲形状效应 — C...
CT-ΔΣ设计实例
CT-ΔΣ 设计实例 §8.9 以三阶 CIFF CT-ΔΣ 调制器的完整设计实例，系统展示了从 NTF 综合到动态范围/频率缩放的全流程方法论。设计规格：三阶、16 级量化器、OSR = 64、信号带宽 500 kHz、OBG = 2.5。 前后关系 上下文：前几节建立了 CT-ΔΣ 的理论基础（§8.1-§8.4）、环路滤波器拓扑（§8.5）、复 NTF 零点（§8.6）、仿真建模（§8.7）和动态范围缩放（§8.8）。§8.9 将这些知识整合为一个完整的设计流程。 前置知识： CT-ΔΣ调制基础与一阶CT-MOD1 — 脉冲不变变换 高阶CT-ΔΣ调制与DAC脉冲形状效应 — N 阶设计...
CT-ΔΣ调制
CT-ΔΣ调制 CT-ΔΣ 调制器直接处理连续时间输入信号，无需前置抗混叠滤波器（隐含反混叠），是 GHz 级时钟高速 ΔΣ ADC 的首选架构。 前后关系 上下文：§1.6 在之前讨论 DT-ΔΣ（离散时间 ΔΣ）的基础上，引入连续时间实现。CT-ΔΣ 与 DT-ΔΣ 的根本区别在于环路滤波器的工作域——CT 用 s 域（RC 积分器），DT 用 z 域（SC 积分器）。 后续章节： Ch.8 全面分析 CT-ΔΣ 调制器的原理、设计方法（Pavan ΔΣ 数据转换器 Ch.8 深度解析） Ch.9 讨论 CT-ΔΣ 的非理想性（Pavan ΔΣ 数据转换器 Ch.9 深度解析） Ch.10...
CT-ΔΣ调制基础与一阶CT-MOD1
CT-ΔΣ 调制基础与一阶 CT-MOD1 CT-ΔΣ 调制器通过脉冲不变变换（Impulse-Invariant Transform, IIT）将 DT-ΔΣ 的环路滤波器映射到连续时间域，并继承了 DT 原型的 NTF。更重要的是，由于采样发生在环路内部，CT-ΔΣ 天然具有隐含反混叠特性。 前后关系 上下文：§1.6 以直观方式引入 CT-ΔΣ 概念（从一阶 RC 滤波器出发），§8.1-§8.2 正式建立 DT→CT 映射的数学框架。此前 Ch.2 对 MOD1 的详细分析（NTF、STF、量化噪声模型）是理解 CT-MOD1 的前提。 前置知识： 一阶ΔΣ调制器 — DT-MOD1 ...
高阶CT-ΔΣ调制与DAC脉冲形状效应
高阶 CT-ΔΣ 调制与 DAC 脉冲形状效应 从 CT-MOD2 到 N 阶 CT-ΔΣ，DAC 脉冲形状对 NTF 的影响随阶数增加而增加——CT-MOD1 仅依赖脉冲面积，CT-MOD2 依赖面积和延迟，N 阶 CT-ΔΣ 依赖前 N 个矩。Pavan 引入的矩方法为系统分析脉冲形状效应提供了统一框架。 前后关系 上下文：在 CT-MOD1（§8.1-§8.2）建立脉冲不变变换和隐含反混叠基本原理后，§8.3-§8.4 将分析推广到二阶和高阶。 前置知识： CT-ΔΣ调制基础与一阶CT-MOD1 — 脉冲不变变换、DAC 脉冲模型、s=ln(z) 映射 二阶ΔΣ调制器MOD2原理 — D...