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CMOS晶体管老化效应
CMOS晶体管老化效应 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.2 §2.4 全量内容。覆盖四大老化效应（HCI/TDDB/BTI/EM）的物理机制、定量模型、技术演进影响，以及瞬态效应（EMI/SSN/SEU）。 老化效应概述 集成电路老化现象首次于 1970s-80s 被观察到。最初研究重点在于理解物理机制而非解决电路问题。1990s 器件几何尺寸激进缩放 + 电场增大 → 老化成为越来越严重的问题。2000s 新材料引入 → 新失效机制出现 + 既有效应加...
IC可靠性评估与抗失效设计
IC可靠性评估与抗失效设计 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.6 全量内容。覆盖可靠性评估五维度、老化免疫/敏感参数分析、固有鲁棒电路与自修复电路、IDAC 案例研究、数字电路寿命分析。 可靠性评估五维度 评估一个 IC 的可靠性需要考虑五个维度： 1.
晶体管老化紧凑模型
晶体管老化紧凑模型 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.3 全量内容。覆盖 HCI/BTI/TDDB 紧凑模型（支持时变应力）、物理模型基础、模型校准、老化等效晶体管模型、手算老化模型。 紧凑模型设计原则 好的紧凑模型应满足： 准确：捕获所有重要依赖关系 易校准：参数可通过测量提取 易评估：计算开销小，适合电路级仿真 设计相关：使用可观测参数（电压、电流、尺寸、温度）而非内部物理量 HCI 紧凑模型 Lucky Electron Model（LEM）基础 大...
模拟IC可靠性仿真方法
模拟IC可靠性仿真方法 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.4+Ch.5 全量内容。覆盖 BERT 与文献综述、商业仿真器对比、确定性/随机/层次化三级可靠性仿真方法。 现有可靠性仿真器综述（Ch.4） BERT（Berkeley Reliability Tools） 最早也是最学术化的可靠性仿真器（1980s-90s 开发）。 模块结构： CAS 模块（Circuit Aging Simulator）：基于 HCI 模型评估电路老化 ΔNIT=C1[W...
纳米CMOS可靠性工程与DFR流程
纳米CMOS可靠性工程与DFR流程 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.1 全量内容。覆盖可靠性工程历史、纳米 CMOS 可靠性挑战、DFR 五阶段流程、行业标准与加速测试方法。 可靠性工程简史 1816：Samuel Taylor Coleridge 首次使用 “reliability” 一词（苏格兰语 raliabill = rely + able） 1654：Pascal 与 Fermat 建立概率论，为可靠性工程奠定数学基础 1812：Laplace...
纳米CMOS空间不可靠性与工艺变异
纳米CMOS空间不可靠性与工艺变异 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.2 §2.2-2.3 全量内容。覆盖 CMOS 不可靠性起源、空间不可靠性分类（系统/随机）、Pelgrom 模型、RDF/LER/栅介质变异的物理机制与定量模型。 CMOS 不可靠性的起源 1960s：首次 IC 可靠性研究（IRPS 1962, Chicago） 1970s：主要失效原因——腐蚀、键合问题（“purple plague”：AuAl₂ 金属间化合物）、离子污染 这些均与...
Maricau Analog IC Reliability in Nanometer CMOS 深度解析
Maricau《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》深度解析 Elie Maricau, Georges Gielen, Analog IC Reliability in Nanometer CMOS, Springer, 2013, ISBN 978-1-4614-6163-0.