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晶体管老化紧凑模型
晶体管老化紧凑模型 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.3 全量内容。覆盖 HCI/BTI/TDDB 紧凑模型（支持时变应力）、物理模型基础、模型校准、老化等效晶体管模型、手算老化模型。 紧凑模型设计原则 好的紧凑模型应满足： 准确：捕获所有重要依赖关系 易校准：参数可通过测量提取 易评估：计算开销小，适合电路级仿真 设计相关：使用可观测参数（电压、电流、尺寸、温度）而非内部物理量 HCI 紧凑模型 Lucky Electron Model（LEM）基础 大...