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Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（下）
Binkley Ch3 — MOS Performance vs ID, IC, L（下篇：电容/带宽/噪声/失配/漏电流） 下篇覆盖 §3.9-§3.12：电容和带宽、噪声（热/闪烁/栅漏）、失配（局部/距离）、漏电流（栅漏/结漏/亚阈值）。 §3.9 电容与带宽 栅氧电容 CGOX=Cox′⋅W⋅L 其中 Cox′=εox/tox。 本征栅电容 本征栅电容与 IC 的依赖关系（归一化到 CGOX）： 电容符号弱反型中反型强反型栅-源C^gsi0过渡2/3栅-漏C^gdi0过渡1/3（饱和）/ 1/2（线性）栅-体C^gbi1−1/n过渡0 EKV 模型统一表达式（用于设...
纳米CMOS空间不可靠性与工艺变异
纳米CMOS空间不可靠性与工艺变异 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.2 §2.2-2.3 全量内容。覆盖 CMOS 不可靠性起源、空间不可靠性分类（系统/随机）、Pelgrom 模型、RDF/LER/栅介质变异的物理机制与定量模型。 CMOS 不可靠性的起源 1960s：首次 IC 可靠性研究（IRPS 1962, Chicago） 1970s：主要失效原因——腐蚀、键合问题（“purple plague”：AuAl₂ 金属间化合物）、离子污染 这些均与...
MASH噪声泄漏与失配效应
MASH噪声泄漏与失配效应 核心问题：MASH 的”取消”操作要求模拟传递函数与数字滤波器精确匹配。实际中，电容失配和运放有限增益导致 E1 泄漏到输出——这是 MASH 架构的根本脆弱性。 前后关系 上下文：§5.2 展示了 MASH 在理想条件下的完美性能（2-2 MASH 四阶整形），但前提是取消条件 H1NTF1−H2STF2=0 精确满足。§5.3 转向现实——模拟电路非理想性导致的噪声泄漏。 前置知识： MASH级联ΔΣ调制器原理：理想的 MASH 取消机制 量化器理论与线性模型：线性化分析的基础假设 后续章节： Sturdy-MASH鲁棒级联架构：以鲁棒性换取精度的改进...