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CMOS晶体管老化效应
CMOS晶体管老化效应 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.2 §2.4 全量内容。覆盖四大老化效应（HCI/TDDB/BTI/EM）的物理机制、定量模型、技术演进影响，以及瞬态效应（EMI/SSN/SEU）。 老化效应概述 集成电路老化现象首次于 1970s-80s 被观察到。最初研究重点在于理解物理机制而非解决电路问题。1990s 器件几何尺寸激进缩放 + 电场增大 → 老化成为越来越严重的问题。2000s 新材料引入 → 新失效机制出现 + 既有效应加...
纳米CMOS可靠性工程与DFR流程
纳米CMOS可靠性工程与DFR流程 本页面基于 Maricau & Gielen《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013) Ch.1 全量内容。覆盖可靠性工程历史、纳米 CMOS 可靠性挑战、DFR 五阶段流程、行业标准与加速测试方法。 可靠性工程简史 1816：Samuel Taylor Coleridge 首次使用 “reliability” 一词（苏格兰语 raliabill = rely + able） 1654：Pascal 与 Fermat 建立概率论，为可靠性工程奠定数学基础 1812：Laplace...
Maricau Analog IC Reliability in Nanometer CMOS 深度解析
Maricau《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》深度解析 Elie Maricau, Georges Gielen, Analog IC Reliability in Nanometer CMOS, Springer, 2013, ISBN 978-1-4614-6163-0.