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基准Trim封装应力与表征
基准Trim封装应力与表征 基准电路出厂精度的最后一公里：工艺离散靠 trim 修调，封装应力引入不可仿真的偏移，表征方法学决定测得数据的可信度。本页基于 Rincon-Mora《Voltage References》Ch.5 及附录 A.5/B.5/C.5，覆盖 trim 网络设计（range/位数/三种技术）、package shift 定量模型与缓解、系统噪声环境对策、以及 TC/line regulation/PSR/噪声的完整测量规程。 Considering the System and the Working Environment（Ch.5 定位） Ch.5 收束全书：前三章解...
精密基准误差分析与输出级设计
精密基准误差分析与输出级设计 精密基准（precision reference）不仅是温度补偿电压源，更须对工艺、电源、负载与噪声全面免疫。本页基于 Rincon-Mora《Voltage References》Ch.4，覆盖：六类寄生误差的闭式传播公式与 RSS 合成（Example 4.1）、输出级三模式与 regulated/unregulated 判据、PSR 与 line regulation 的 cascode/pseudo-supply 设计方法。 Designing Precision Reference Circuits（Ch.4 定位） Ch.4 的命题：温度补偿只是精密基...
Rincon-Mora Voltage References 深度解析
Rincon-Mora Voltage References 深度解析 Rincón-Mora《Voltage References: From Diodes to Precision High-Order Bandgap Circuits》(IEEE Press/Wiley, 2002, 184 页) 是集成电路电压参考领域的专题专著。全书以二极管温度特性为起点，按”电流基准 → 电压基准（零阶/一阶/二阶）→ 精密设计（误差源/输出级/PSR）→ 系统环境（trim/封装应力/表征）“的链路，完整覆盖了从基础拓扑到量产测试的全部设计环节。与作者 1996 年 LDO 博士论文互为姊妹篇：论...
CMOS电压参考系统设计与误差分析
CMOS电压参考系统设计与误差分析 本页覆盖 CMOS 电压参考电路从器件物理温度特性、性能表征体系、β-multiplier 带隙基准系统框架到完整误差源分析与修调技术的系统设计链。主要来源为 Kok/Tam《CMOS Voltage References》Ch.1-4，补充了 Gray/Razavi 等教材中未深入涉及的 CMOS 工艺实现细节和系统化误差分析。 1.
温度补偿与亚1V基准设计技术
温度补偿与亚1V基准设计技术 本页覆盖 CMOS 电压参考的高级设计技术：多种温度补偿拓扑、亚 1V 供电/输出的基准设计、高阶曲率校正方法和无电阻电压参考。主要来源为 Kok/Tam《CMOS Voltage References》Ch.5-8，补充了 Rincon-Mora 曲率校正分类之外的多种新型补偿方法。 1.
Chi-Wah Kok
Chi-Wah Kok Chi-Wah Kok 是 Canaan Microelectronics Corp Ltd 创始人（2006），威斯康星大学麦迪逊分校博士，在 CMOS 电压参考电路和混合信号 IC 设计领域有深入研究和工业实践。曾在 AT&T Labs Research、SONY U.S.
Wing-Shan Tam
Wing-Shan Tam Wing-Shan Tam 是 Canaan Microelectronics Corp Ltd 工程经理，香港城市大学电子工程博士（2011），研究方向为混合信号集成电路设计，涵盖数据转换和电源管理。 主要贡献 CMOS 电压参考专著：与 Chi-Wah Kok 合著《CMOS Voltage References: An Analytical and Practical Perspective》(Wiley, 2013) 混合信号 IC 设计：数据转换和电源管理方向的工业实践 代表著作 CMOS Voltage References: An Analytical...
Kok CMOS Voltage References 深度解析
Kok CMOS Voltage References 深度解析 Kok/Tam《CMOS Voltage References: An Analytical and Practical Perspective》(Wiley, 2013) 是 CMOS 电压参考设计的专用教材。全书以 opamp-based β-multiplier bandgap 为核心框架，从器件物理温度特性（Ch.1）、性能表征体系（Ch.2）、带隙基准系统设计（Ch.3）、误差源分析（Ch.4），到高级温度补偿（Ch.5）、亚 1V 设计（Ch.6）、高阶曲率校正（Ch.7）和无电阻基准（Ch.8），构建了从理论到硅片...