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Rincon-Mora Voltage References 深度解析
Rincon-Mora Voltage References 深度解析 Rincón-Mora《Voltage References: From Diodes to Precision High-Order Bandgap Circuits》(IEEE Press/Wiley, 2002, 184 页) 是集成电路电压参考领域的专题专著。全书以二极管温度特性为起点，按”电流基准 → 电压基准（零阶/一阶/二阶）→ 精密设计（误差源/输出级/PSR）→ 系统环境（trim/封装应力/表征）“的链路，完整覆盖了从基础拓扑到量产测试的全部设计环节。与作者 1996 年 LDO 博士论文互为姊妹篇：论...
CMOS温度传感器原型芯片实现
CMOS温度传感器原型芯片实现 Pertijs & Huijsing 专著《Precision Temperature Sensors in CMOS Technology》Ch.7 描述了三款 CMOS 智能温度传感器原型芯片，逐步实现了从 ±1.5°C 到 ±0.1°C（3σ）的精度突破。本文基于 Ch.7 全文提炼，覆盖每款原型的系统架构、关键电路、创新技术和实测数据。 前后关系 前置知识： CMOS智能温度传感器原理 — 温度传感前端原理 CMOS温度传感器ΣΔADC与电路实现 — ΣΔ ADC 与精密电路 双极晶体管大信号特性 — BJT 物理与建模 本书内部链条： CMOS...
CMOS智能温度传感器原理
CMOS智能温度传感器原理 CMOS 智能温度传感器将双极晶体管测温前端与 ΣΔ ADC 集成在单芯片上，直接输出数字温度值。Pertijs/Huijsing 专著（2006）系统阐述了从器件物理到芯片实现的完整设计链，最终实现 ±0.1°C 精度的 CMOS 温度传感器（当时报道最佳）。本文基于 Pertijs Ch.1 + Ch.3 提炼。 前后关系 前置知识： 双极晶体管大信号特性 — BJT IC-VBE 指数特性、Early 效应 偏置电路与电流基准 — 带隙基准、PTAT 电流生成 失调消除技术 — Chopping/Auto-zeroing 用于前端放大 本书内部链条： CM...
低压曲率校正带隙基准
低压曲率校正带隙基准 经典一阶带隙基准 VREF=VBE+KΔVBE 的精度受限于 VBE 的非线性温度特性（曲率误差 ~2 mV），典型 TC 为 10-50 ppm/°C。曲率校正技术通过补偿 VBE 中的 TlnT 项，可将 TC 降低到 <5 ppm/°C。本页系统覆盖曲率校正带隙基准的技术路线、输出结构分类和低压拓扑，主要来源为 Rincon-Mora 博士论文（Ch.5 + Ch.6 §6.2）与专著《Voltage References》Ch.3（六种前沿技术的完整电路与公式）。 1.
温度补偿与亚1V基准设计技术
温度补偿与亚1V基准设计技术 本页覆盖 CMOS 电压参考的高级设计技术：多种温度补偿拓扑、亚 1V 供电/输出的基准设计、高阶曲率校正方法和无电阻电压参考。主要来源为 Kok/Tam《CMOS Voltage References》Ch.5-8，补充了 Rincon-Mora 曲率校正分类之外的多种新型补偿方法。 1.
Kok CMOS Voltage References 深度解析
Kok CMOS Voltage References 深度解析 Kok/Tam《CMOS Voltage References: An Analytical and Practical Perspective》(Wiley, 2013) 是 CMOS 电压参考设计的专用教材。全书以 opamp-based β-multiplier bandgap 为核心框架，从器件物理温度特性（Ch.1）、性能表征体系（Ch.2）、带隙基准系统设计（Ch.3）、误差源分析（Ch.4），到高级温度补偿（Ch.5）、亚 1V 设计（Ch.6）、高阶曲率校正（Ch.7）和无电阻基准（Ch.8），构建了从理论到硅片...