此标签下有5条笔记。
Marcel Pelgrom
Marcel Pelgrom Marcel J.M. Pelgrom — NXP Semiconductors / Eindhoven University of Technology 混合信号 IC 设计专家，数据转换器与 CMOS 器件失配领域权威。 主要贡献 1.
ESD芯片设计综合与架构
ESD芯片设计综合与架构 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.2，系统介绍半导体芯片 ESD 综合的完整方法论——电气/热/空间连接性分析、输入保护网络、电源钳位网络、轨到轨网络、保护环、焊盘下结构，以及混合信号架构中的域间 ESD 网络设计。 前后关系 前置知识： ESD度量指标与设计策略 — ESD 设计策略 CMOS工艺与器件 — CMOS 工艺基础 本书内部链条： ESD度量指标与设计策略 → ESD芯片设计综合（本文）→ MOSFET ESD设计 外部关联： IC电磁兼容建模技术 — IC 级 EMC 建模 1.
Wing-Shan Tam
Wing-Shan Tam Wing-Shan Tam 是 Canaan Microelectronics Corp Ltd 工程经理，香港城市大学电子工程博士（2011），研究方向为混合信号集成电路设计，涵盖数据转换和电源管理。 主要贡献 CMOS 电压参考专著：与 Chi-Wah Kok 合著《CMOS Voltage References: An Analytical and Practical Perspective》(Wiley, 2013) 混合信号 IC 设计：数据转换和电源管理方向的工业实践 代表著作 CMOS Voltage References: An Analytical...
混合信号耦合与衬底噪声
混合信号耦合与衬底噪声 在混合信号（Mixed-Signal）IC 中，数字电路的开关噪声通过衬底耦合、电源线反弹和电磁耦合三种主要路径干扰敏感的模拟电路。Sansen §24 系统分析了噪声生成机制、耦合路径和抑制技术，是经典教材中唯一专门覆盖混合信号耦合的章节。 前后关系 前置知识： 集成电路噪声分析 — 器件级噪声源 全差分运放与共模反馈 — 全差分结构对共模噪声的抑制 CMOS工艺与器件 — 衬底类型、阱结构 本书内部链条： 混合信号耦合（本文）→ 数据转换器基础 — ADC/DAC 中的 SNR 限制 → SCΔΣ调制器的高层设计与开关电容积分器 — SC 电路中的电荷注入 外部关联...
全差分运放与共模反馈
全差分运放与共模反馈 全差分运放（Fully Differential Op-Amp）在高速高精度模拟和混合信号 IC 中占据了主导地位。与单端运放相比，全差分结构提供更大的输出摆幅（2×单端）、更好的共模抑制（电源和衬底噪声的共模分量被抑制）和消除偶次失真。然而，全差分运放的核心挑战是共模反馈（CMFB）：由于没有外部 DC 路径固定输出共模电平，其输出共模电压会受器件失配和工艺角影响而漂向电源轨或地轨，需要 CMFB 环路主动将其稳定在目标值。Gray §12 系统介绍了各种 CMFB 检测和反馈拓扑，以及全差分两级/Cascode 运放的设计。本文基于 Gray §12 提炼。 前后关系...