Kang Liu 2023 JSSC FPC DCDL DPLL 深度解析

Zhi-Heng Kang 和 Shen-Iuan Liu(台湾大学)在 IEEE JSSC 2023 上提出了使用**前馈相位误差消除(FPC)**的环形 DCO DPLL。关键创新:(1)FPC 技术:将 **DCDL(数字控制延迟线)**置于环内 → 相位误差由 DCDL 快速补偿 → 消除残余抖动 → 等效拓宽环路带宽;(2)死区自由(DZF)BBPFD 通过 3 输入 NAND 门避免传统 BBPFD 的迟滞死区 → 提高 TDC 分辨率;(3)双积分路径限制 DCDL 范围 → 避免宽延迟范围需求;(4)β 控制器基于自相关确保 。


基本信息

属性值
标题A 1.6-GHz DPLL Using Feedforward Phase-Error Cancellation
作者Zhi-Heng Kang, Shen-Iuan Liu
机构Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University (NTU)
期刊IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol.58, No.3, March 2023
工艺40 nm CMOS
面积0.05 mm²
频率1.6 GHz(环形 DCO 调谐 1.28–2.12 GHz)
功耗5 mW @1.1 V(DCDL 0.7 mW)
Jitter788 fs RMS(1 kHz–100 MHz)
参考杂散−57.84 dBc
FoM−235 dB

vs 已有来源定位

维度ILCM [2,3]FPEC DPLL [7]FFNC VCDL [4,5]Kang/Liu 2023 FPC DPLL
校正机制注入锁定(参考边缘重对齐)脉冲式高增益 DLF环外 VCDL 延迟补偿环内 DCDL 前馈相位消除
环路位置环外注入环内 DLF环外环内 DCDL
延迟线位置无无环外(PVT 敏感)环内(受环路控制)
残余抖动消除是需 τQ → 受 TDC 限制部分当 KTDCβKDCDL=1 完全消除
死区问题无BBPD 迟滞死区无DZF BBPFD 消除死区
DCDL 范围——需覆盖 PVT双积分路径限制 → 仅 ±32ps

§I. 引言:环形振荡器 PLL 的三种校正类别

为抑制环形振荡器的高相位噪声,需宽环路带宽,但稳定性与带宽存在权衡。

三种快速校正相位误差的技术:

技术代表工作原理局限
ILCM(注入锁定) [2,3]参考时钟注入重对齐优异的抖动抑制需额外频率校准应对 PVT
FFNC(前馈噪声消除) [4,5]VCDL 延迟补偿VCDL 环外,PVT 敏感需复杂校准电路
FPEC(快速相位误差校正) [6,7]短时高增益脉冲数字实现 + 自相关增益校准BBPD 迟滞死区降低精度

本文解决的问题

  1. 传统 BBPD 的建立/保持时间导致迟滞死区 → 降低 TDC 精度
  2. DCDL 若置于环外(FFNC)→ PVT 敏感;置于环内(本文)→ 受环路控制,更鲁棒
  3. DCDL 延迟范围过大 → 芯片面积和功耗增加

§II. 噪声分析

§II-A. Type-II DPLL 的残余抖动问题

离散时间噪声模型(Fig.2):双域(慢/快时钟)模型,含 ZOH 上采样和 ÷N 下采样。

输出噪声递推(Fig.1 type-II PLL):

其中 为最优条件 [9]。

RMS jitter:

关键问题:第一项中的 来自残余抖动 → 直到 才完全消除 → 整个周期内累积的 DCO 抖动被残余项放大

§II-B. 提出的 FPC PLL

核心思想(Fig.3):在环内插入 DCDL → TDC 感知相位误差后,DCDL 立即(前馈)补偿相位,无需等待整个参考周期。

FPC 噪声模型(Fig.4)

输出噪声递推:

其中 DCDL 控制码:

残余抖动消除条件:

当 时,(15) 中 项被完全消除:

对比 Eq.(6):FPC 不再有 残余项!

FPC RMS Jitter

以 N=32 为例的数值对比(Table I):

抖动项Type-II PLL (Eq.7)FPC PLL (Eq.17)
系数26.6716.5 ↓
系数0.671.0 ↑

结论:FPC 抑制 DCO 抖动(系数 26.67→16.5),略微增加参考/TDC 噪声贡献(0.67→1)→ 等效环路带宽更大。


§III. 电路描述

§III-A. FPC PLL 架构(Fig.5)

TDC (DZF-BBPFD×3)
  │ 输出: -3/-1/+1/+3
  ▼
[β 控制器] → β → [数字积分器 (β)] → C_DCDL[8:0] → [DCDL (150fs/LSB, ±32ps)]
                                         │
                                    - {1,8b'0}
                                         │
                                         ▼
                                    [积分路径 α] ─→ [双积分路径 γ] ─→ DCO
  • TDC:4 电平输出(-3/-1/+1/+3),由 3 个 DZF-BBPFD + 3 个 DTC 构成
  • β 控制器:后台自相关校准 → 保证
  • 比例路径延迟:~0.25 参考周期
  • DCO 细调: 经 1 阶 ΔΣM → 增强分辨率

§III-B. DZF BBPFD(死区自由 Bang-Bang PFD)

传统 BBPFD 的死区问题(Fig.6)

传统 BBPFD(PFD + DFF3)的转移曲线存在迟滞区:

  • 死区约 1.4 ps(标准单元 DFF 前仿)
  • 死区内的相位误差无法正确量化 → 降低 TDC 精度 → 恶化相位噪声

DZF BBPFD 设计(Fig.7)

REF ──→ [PFD] ─┬─ UP ─→ [三输入 NAND] ─→ RST ─→ [DFF1, DFF2 复位]
DIV ──→        │                     ↑
               └─ DOWN ─→ [DFF3] ─ QB ─→ [DFF4] ─→ OUT
                              ↑
                         DZF_EN(常规/DZF 选择)

工作原理:

  • 当 UP 和 DOWN 都高且 DFF3 的 QB 就绪 → RST 变低 → DFF1/DFF2 复位
  • RST 变高后,BBPFD 输出由 QB 决定
  • 当 REF 和 DIV 都低且 DZF_EN=1 → DFF3 复位 → QB 保持低
  • 关键:QB 在 REF 或 DIV 上升前始终为低 → 消除了 DFF3 建立/保持时间引起的死区

转移曲线对比(Fig.7(b) vs Fig.6(b)):

BBPFD 类型死区1MHz 相位噪声 @1.6GHzRMS Jitter
传统 BBPFD~1.4 ps−101.23 dBc/Hz2.4 ps
DZF BBPFD无−106.76 dBc/Hz1.3 ps

§III-C. β 控制器

原理:基于 S[k] 的自相关 [8–10]

状态S[k] 与 S[k-1] 相关性β 调整
< 1正相关增大 β
= 1零相关保持(最优)
> 1负相关减小 β

§III-D. DLF 与 DCDL

DCDL 范围限制

若无双积分路径,DCDL 需覆盖 DCO 自由振荡频率变化和抖动的完整范围 → 范围过大。

双积分路径的作用:

  • → 积分路径和双积分路径
  • 锁定时平均值为零 → 的静态分量被积分路径吸收
  • DCDL 仅需覆盖动态抖动

DCDL 码的标准差:

  • 增大 可减小 → 但 RMS jitter 略微增加(Fig.9 仿真)
  • 本文选择 → ps

DCDL 实现(Fig.10):

  • 3 级反相器 + 511 个 nMOS 可变电容 + 开关
  • 温度计码 交叉控制 → 保持线性度
  • fs/LSB @1.6 GHz
  • 调谐范围 ±32 ps(覆盖 > 7×)
  • 仿真相位噪声 @1MHz:−163 dBc/Hz

开环传递函数与稳定性

  • 单位增益频率:8 MHz
  • 积分路径增益项 >> 双积分路径增益项(在单位增益频率)→ 选择

§III-E. DCO

  • 60 个 5 级环形振荡器并联
  • 粗调:127 个数字控制反相器()
  • 细调:127 个 nMOS 可变电容(温度计码),89 kHz/LSB
  • 附加 nMOS 可变电容经 1 阶 ΔΣM 增强分辨率
  • 频率范围:1.28–2.12 GHz
  • 仿真相位噪声 @1MHz:−99 dBc/Hz

§IV. 测量结果

芯片性能

参数数值
工艺40 nm CMOS
有源面积0.05 mm²(DCO+DCDL: 0.008, TDC: 0.012, 数字: 0.03)
参考频率50 MHz
输出频率1.6 GHz
功耗5 mW @1.1 V(DCDL: 0.7 mW)

相位噪声测量

β 控制器和阈值控制器禁用(Fig.13)

TDC 类型Phase Noise @1MHzRMS Jitter (1kHz–100MHz)
传统 BBPFD−101.23 dBc/Hz2.4 ps
DZF BBPFD−106.76 dBc/Hz1.3 ps

→ DZF BBPFD 改善约 46% RMS jitter

β 控制器和阈值控制器启用(Figs.14, 16)

配置Phase Noise @1MHzRMS Jitter备注
传统 BBPFD−116.33 dBc/Hz2 ps10MHz 噪声峰值(β 增大导致阻尼因子降低)
DZF BBPFD−118.25 dBc/Hz788 fs无噪声峰值,DZF 解决迟滞问题

参考杂散(Figs.15, 17)

配置Reference Spur
传统 BBPFD−58.06 dBc(有频率过冲)
DZF BBPFD−57.84 dBc(无过冲)

仿真对比(Fig.18, Table IV)

  • TDC 阈值设置: ps
  • 最终 β(FPC PLL):5.1
  • 最终 β(Conventional PLL):4.4
  • 计算 RMS jitter(FPC):864 fs(与测量 788 fs 接近,差异因仿真时间分辨率有限)

性能总结(Table III)

指标This Work[7] FPEC DPLL[3] ILCM[4] FFNC
RMS Jitter788 fs320 fs185 fs330 fs
功耗5 mW6 mW8.2 mW3.1 mW
FoM−235 dB−242 dB−245 dB−239 dB

作者注:本文 TDC 的 DZF BBPFD 改进了 [7],功耗更低;但 FoM 和 RMS jitter 弱于 [3][4][7] — 可能由于 40nm 工艺和环形 DCO 设计差异。


关键贡献总结

  1. FPC(前馈相位误差消除):环内 DCDL 在前馈路径中快速补偿相位误差 → 当 时完全消除残余抖动 → 等效拓宽环路带宽
  2. DZF BBPFD(死区自由 BBPFD):3 输入 NAND 门 + 额外 DFF4 → 消除传统 BBPFD 的迟滞死区 → 改善 TDC 精度 → RMS jitter 从 2.4ps 降至 1.3ps(禁用 β 控制器时)
  3. 双积分路径限制 DCDL 范围:DCDL 仅需覆盖动态抖动 ±32ps(7σ),无需覆盖 DCO 频率偏移
  4. β 控制器:基于 SIGN 自相关 → 后台确保 → 消除残余抖动
  5. 40nm CMOS 实现 788 fs RMS jitter、5 mW、0.05 mm²

双向链接

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