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CMOS V-I转换器设计
CMOS V-I 转换器设计 V-I 转换器是 VFC 中决定线性度、输入范围和功耗的核心单元。在低压低功耗约束下，设计高线性度、Rail-to-Rail 输入的 V-I 转换器是 VFC 系统设计的主要挑战。本文基于 Azcona Voltage-to-Frequency Converters: CMOS Design and Implementation Ch.3.1 系统整理。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — 跨导 g_m、体效应 g_mb 电流镜基础与Cascode电流镜 — 电流镜是实现V-I转换的关键 运算放大器设计 — OTA 是 V-I 转换的核心放大器 内部...
CMOS VFC完整设计实例
CMOS VFC 完整设计实例 Azcona 等人在 0.18-μm CMOS 工艺下实现了四款完整的 VFC 芯片：VFC1（可编程，1.8V/<0.4mW）、VFC2（Rail-to-Rail，1.2V/<70μW）、VFC3/VFC4（差分输入，1.2V/<75μW）。所有芯片均经过流片验证，覆盖全温度范围（-40°C ~ +120°C）和电源电压变化测试。本文基于 Azcona Voltage-to-Frequency Converters: CMOS Design and Implementation Ch.4。 前后关系 前置知识： VFC压频转换器基础与架构 —...
低压曲率校正带隙基准
低压曲率校正带隙基准 经典一阶带隙基准 VREF=VBE+KΔVBE 的精度受限于 VBE 的非线性温度特性（曲率误差 ~2 mV），典型 TC 为 10-50 ppm/°C。曲率校正技术通过补偿 VBE 中的 TlnT 项，可将 TC 降低到 <5 ppm/°C。本页系统覆盖曲率校正带隙基准的技术路线、输出结构分类和低压拓扑，主要来源为 Rincon-Mora 博士论文（Ch.5 + Ch.6 §6.2）与专著《Voltage References》Ch.3（六种前沿技术的完整电路与公式）。 1.
Rincon-Mora Current Efficient Low Voltage LDO Regulators 深度解析
Rincon-Mora Current Efficient Low Voltage LDO Regulators 深度解析 Rincon-Mora《Current Efficient, Low Voltage, Low Drop-Out Regulators》(Georgia Tech PhD Thesis, 1996, Phillip E.