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Binkley Ch7 — 优化方法扩展到小尺寸工艺
Binkley Ch7 — Extending Optimization Methods to Smaller-Geometry Processes 本章讨论如何将全书的反型系数设计方法扩展到更小尺寸的 CMOS 工艺以及新兴的非 CMOS 技术（有机薄膜 FET、碳纳米管 FET）。 §7.2 反型系数与工艺无关性 通用跨工艺特性 gm/ID vs VEFF 和 VDSsat vs IC 在所有 CMOS 工艺中呈现近通用行为： gm/ID vs VEFF：对所有工艺几乎相同，因为 gm/ID=2/VEFF（强反型）的基本关系是工艺无关的 VDSsat vs IC：VD...
Sansen 2016 Opamps Gm-Blocks or Inverters 深度解析
Sansen 2016: Opamps, Gm-Blocks or Inverters? 来源: W.
CMOS工艺缩放对模拟电路的影响
CMOS 工艺缩放对模拟电路的影响 概述 CMOS 工艺的持续缩放（从 1970s 的 6μm 到 2010s 的 45nm 再到今天的纳米级）对数字和模拟电路产生了非对称影响。数字电路充分受益于缩放，而模拟电路面临日益严峻的设计挑战。 工艺缩放历史 年代特征尺寸f_t (NMOS @ V_GS-V_th=0.5V)# 金属层19756μm~10 MHz119803μm~100 MHz1-219851.5μm~500 MHz219900.8μm~2 GHz2-319950.35μm~10 GHz4-520000.18μm~30 GHz5-6200590nm~100 GHz7-8201045nm...