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Binkley Ch4 — MOS性能权衡与差分对电流镜设计
Binkley Ch4 — Tradeoffs in MOS Performance + Differential Pairs and Current Mirrors 本章基于 Ch3 的完整性能表达式，系统呈现 MOS 器件性能随 ID/IC/L 变化的权衡关系，并通过差分对和电流镜的完整设计实例演示优化方法。 §4.2 性能趋势 IC↑（ID, L 固定） 性能指标趋势原因W/L, WL↓↓面积减小Cgsi+Cgbi↓面积减小VEFF, VDSsat↑↑过驱动增加gm/ID, gm↓效率降低VA↑（略升）DIBL 减弱AVi=(gm/ID)VA↓gm/ID ...
Opamp与Gm-Block与CMOS反相器设计选择
Opamp与Gm-Block与CMOS反相器设计选择 运放（Opamp）、跨导模块（Gm-Block）和 CMOS 反相器（Inverter）是模拟放大器三大基本构建块。随着工艺缩放，CMOS 反相器逐渐在高频应用中取代传统运放和 Gm 模块。Willy Sansen 在 AACD 2015 系统比较了这三者的优劣势及适用场景。 三种放大器对比 特性OpampGm-BlockCMOS Inverter增益高（> 60dB）中（30–50dB）低（20–30dB）线性度最高（深度负反馈）中（需内部反馈）低（开环）带宽受限（Miller 补偿）高（可调谐）最高（最小寄生）功耗效率低中最高弱反...
Sansen 2016 Opamps Gm-Blocks or Inverters 深度解析
Sansen 2016: Opamps, Gm-Blocks or Inverters? 来源: W.
Sharkia Type-I Sub-Sampling PLL 深度解析
Sharkia Type-I Sub-Sampling PLL 深度解析 Ahmad Sharkia 等人（UBC）提出 Type-I sub-sampling PLL + ADFLL 混合频率合成器，通过将 SS-PLL 从传统 Type-II 改为 Type-I（固有稳定）并用全数字 FLL 替代模拟 FLL，实现 100×100 μm² 超紧凑面积和 -255 dB FOM。 基本信息 属性值标题A Type-I Sub-Sampling PLL With a 100×100 μm² Footprint and -255-dB FOM作者A.