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Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（下）
Binkley Ch3 — MOS Performance vs ID, IC, L（下篇：电容/带宽/噪声/失配/漏电流） 下篇覆盖 §3.9-§3.12：电容和带宽、噪声（热/闪烁/栅漏）、失配（局部/距离）、漏电流（栅漏/结漏/亚阈值）。 §3.9 电容与带宽 栅氧电容 CGOX=Cox′⋅W⋅L 其中 Cox′=εox/tox。 本征栅电容 本征栅电容与 IC 的依赖关系（归一化到 CGOX）： 电容符号弱反型中反型强反型栅-源C^gsi0过渡2/3栅-漏C^gdi0过渡1/3（饱和）/ 1/2（线性）栅-体C^gbi1−1/n过渡0 EKV 模型统一表达式（用于设...
SCΔΣ调制器的电容尺寸与放大器设计
SC-ΔΣ 调制器的电容尺寸与放大器设计 涵盖章节：§7.4–§7.7，书页 173–189 前后关系：在§7.3 确定了积分器拓扑和系数比之后，本节需要(1)根据热噪声确定绝对电容值，(2)设计放大器以满足摆率、建立精度和增益需求，(3)通过仿真验证。 前后关系 上游：SCΔΣ调制器的高层设计与开关电容积分器（§7.2-7.3）提供系数 a1,b1,c1,a2 和拓扑 下游：SCΔΣ调制器的开关比较器时钟与全系统调试（§7.8-7.11）在此设计和验证基础上完成全集成 交叉：运算放大器设计提供通用运放设计知识 交叉：CT-ΔΣ调制（Ch.8）的连续时间积分器设计与此处的 SC 设计形...
pn结耗尽区分析
pn 结耗尽区分析 pn 结的耗尽区（空间电荷区）特性是理解所有集成电路器件（BJT、MOS、JFET、齐纳二极管、隔离寄生电容）的基础。反向偏置 pn 结的耗尽层宽度、电容、击穿特性直接影响晶体管输出电阻、频率响应、噪声性能以及版图寄生效应。本文基于 Gray §1.2 提炼。 前后关系 前置知识： 半导体物理基础（本征半导体、掺杂、载流子浓度） 基本电磁学（泊松方程、电场、电势） 采样理论基础 — 采样电容中的 pn 结寄生效应 本书内部链条： pn结耗尽区分析（本文，§1.2）→ 双极晶体管大信号特性（§1.3）— 集电极-基极耗尽区决定 Early 效应和击穿电压 → 双极晶体管小信号...
双极无源元件与工艺改进
双极无源元件与工艺改进 在双极集成电路中，除了有源器件（npn/pnp 晶体管）之外，还需要各种无源元件来完成电路功能：扩散电阻提供偏置和负载，电容用于频率补偿和去耦，齐纳二极管提供参考电压。此外，工艺改进（介质隔离、高性能元件）可以显著提升电路性能。理解这些元件的结构、特性和寄生效应，是完成完整双极 IC 设计的关键。本文基于 Gray §2.6-§2.7 提炼。 前后关系 前置知识： IC制造基础工艺（§2.2）— 扩散、外延、氧化 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 双极工艺平台 双极晶体管大信号特性（§1.3）— pn 结特性 本书内部链条： 双极无源元件与工艺改进（本文）...