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Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（上）
Binkley Ch3 — MOS Performance vs ID, IC, L（上篇：工艺参数/IC/尺寸/偏置/小信号/增益） 本章是全书最核心的章节（约250页），涵盖从工艺参数到漏电流共12个维度的MOS性能表达式。上篇覆盖§3.2-§3.8：反型系数方法论、工艺参数、尺寸关系、偏置电压、小信号参数和本征增益。 §3.2 选择 ID/IC/L 的优势 三自由度解耦方法论 传统设计选择 ID、W、L，但 ID 和 W 的改变都会影响 IC，使优化方向模糊。Binkley 的方法将 ID、IC、L 作为独立、非耦合的设计自由度，W 由三者显式计算： W=I0⋅ICID⋅L...
CMOS V-I转换器设计
CMOS V-I 转换器设计 V-I 转换器是 VFC 中决定线性度、输入范围和功耗的核心单元。在低压低功耗约束下，设计高线性度、Rail-to-Rail 输入的 V-I 转换器是 VFC 系统设计的主要挑战。本文基于 Azcona Voltage-to-Frequency Converters: CMOS Design and Implementation Ch.3.1 系统整理。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — 跨导 g_m、体效应 g_mb 电流镜基础与Cascode电流镜 — 电流镜是实现V-I转换的关键 运算放大器设计 — OTA 是 V-I 转换的核心放大器 内部...
MOS晶体管模型与特性
MOS 晶体管模型与特性 MOS 晶体管是现代 VLSI 和绝大多数模拟集成电路的核心器件。其大信号模型描述漏极电流与栅极/漏极电压之间的非线性关系，小信号模型则用于线性化分析。理解 MOS 晶体管的 I-V 特性、跨导、输出电阻、体效应和频率响应，是设计 CMOS 模拟电路（运放、电流镜、开关电容电路）的基础。本文基于 Gray §1.5-§1.6 提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析（§1.2）— 源/漏结耗尽电容、体效应中的耗尽区 半导体物理：反型层、载流子迁移率 本书内部链条： MOS晶体管模型与特性（本文，§1.5-§1.6）→ 短沟道效应与弱反型（§1.7-§1.8）— ...
双极晶体管小信号模型
双极晶体管小信号模型 当信号幅度远小于偏置点（∣ΔVBE∣<VT≈26 mV）时，BJT 的非线性大信号特性可以线性化为小信号等效电路。Hybrid-π 模型是 BJT 最常用的小信号模型，其参数直接由偏置点（I_C、V_CE）决定。正确理解和运用小信号模型是模拟 IC 设计的核心技能。本文基于 Gray §1.4 提炼。 前后关系 前置知识： 双极晶体管大信号特性（§1.3）— 小信号参数由大信号偏置点决定 pn结耗尽区分析（§1.2）— 耗尽电容构成寄生参数 本书内部链条： 双极晶体管小信号模型（本文，§1.4）→ 单管与多管放大器（Ch.3）— 用模型计算增益和阻抗 → 电流镜...