此标签下有3条笔记。
ESD基础概念与设计原则
ESD基础概念与设计原则 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.1，系统介绍 ESD 基础概念、历史演进、17 条核心设计原则和 ESD 缺陷机制分类。与 IC电磁兼容建模技术 的模型参数层面不同，本页聚焦 ESD 的物理本质、设计方法论和失效模式分类。 前后关系 前置知识： CMOS工艺与器件 — CMOS 工艺基础 pn结电流电压特性与击穿 — pn 结物理 MOS晶体管模型与特性 — MOSFET 器件基础 本书内部链条： ESD基础概念（本文）→ ESD测试模型与系统级模型 — ESD 模型参数 → ESD时间常数体系 ...
JFET MESFET与MODFET
JFET MESFET与MODFET Sze Ch.7 系统覆盖了三种重要的场效应晶体管：结型 FET（JFET）、金属半导体 FET（MESFET）和调制掺杂 FET（MODFET）。JFET/MESFET 利用耗尽区宽度调制沟道电导实现放大；MODFET 则利用异质结界面处的二维电子气（2DEG）实现超高迁移率和微波性能。本文基于 Sze Ch.7 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析 — JFET 的 p-n 结耗尽区 金属半导体接触与肖特基势垒 — MESFET 的肖特基势垒 半导体异质结与纳米结构 — MODFET 的异质结与 2DEG MOSFET器件物理与缩放 — ...
转移电子器件与实空间转移
转移电子器件与实空间转移 Sze Ch.10 阐述了两类产生负微分电阻（NDR）的机制：转移电子效应（§10.2）——载流子在 k 空间中从高迁移率谷转移到低迁移率卫星谷（体材料性质），以及实空间转移（§10.3）——载流子在不同半导体材料间跨越异质界面转移（基于异质结）。前者产生 Gunn 二极管（TED），后者产生 RST 二极管与 RST 晶体管。本文基于 Sze Ch.10 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体能带理论与带隙 — E-k 关系、多谷能带结构、有效质量 半导体载流子输运现象 — 高场速度饱和、散射机制 半导体异质结与纳米结构 — 异质结能带不连续性、调制掺杂 IMPA...