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转移电子器件与实空间转移
转移电子器件与实空间转移 Sze Ch.10 阐述了两类产生负微分电阻（NDR）的机制：转移电子效应（§10.2）——载流子在 k 空间中从高迁移率谷转移到低迁移率卫星谷（体材料性质），以及实空间转移（§10.3）——载流子在不同半导体材料间跨越异质界面转移（基于异质结）。前者产生 Gunn 二极管（TED），后者产生 RST 二极管与 RST 晶体管。本文基于 Sze Ch.10 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体能带理论与带隙 — E-k 关系、多谷能带结构、有效质量 半导体载流子输运现象 — 高场速度饱和、散射机制 半导体异质结与纳米结构 — 异质结能带不连续性、调制掺杂 IMPA...