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半导体异质结与纳米结构
半导体异质结与纳米结构 异质结和纳米结构是现代半导体器件的核心构建模块。从 HBT 的能带工程到 MODFET 的二维电子气，从量子阱激光器到量子点单电子晶体管，维度降低带来的态密度变化深刻影响器件性能。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.7 提炼。 前后关系 前置知识： 半导体能带理论与带隙 — 带隙、有效质量 半导体晶体结构与晶格 — 晶格匹配 本书内部链条： 半导体异质结与纳米结构（本文）→ 双极晶体管微波特性与异质结 — HBT 能带工程 → JFET MESFET与MODFET — MODFET 的 2DEG ...
JFET MESFET与MODFET
JFET MESFET与MODFET Sze Ch.7 系统覆盖了三种重要的场效应晶体管：结型 FET（JFET）、金属半导体 FET（MESFET）和调制掺杂 FET（MODFET）。JFET/MESFET 利用耗尽区宽度调制沟道电导实现放大；MODFET 则利用异质结界面处的二维电子气（2DEG）实现超高迁移率和微波性能。本文基于 Sze Ch.7 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析 — JFET 的 p-n 结耗尽区 金属半导体接触与肖特基势垒 — MESFET 的肖特基势垒 半导体异质结与纳米结构 — MODFET 的异质结与 2DEG MOSFET器件物理与缩放 — ...