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双极IC工艺与器件结构
双极 IC 工艺与器件结构 双极集成电路是最早发展的 IC 技术，采用结隔离（junction isolation）将各个晶体管在芯片上互相隔离。尽管 CMOS 在数字和许多模拟应用中占主导地位，但双极工艺在超高速、低噪声、大电流驱动等应用中仍有不可替代的优势。理解双极工艺中 npn/pnp 晶体管的物理结构和寄生效应，是分析双极模拟电路的基础。本文基于 Gray §2.3-§2.5 提炼。 前后关系 前置知识： IC制造基础工艺（§2.2）— 扩散、外延、光刻等基础工艺 pn结耗尽区分析（§1.2）— 结隔离原理、耗尽电容 双极晶体管大信号特性（§1.3）— BJT 的电流-电压关系 本书内...
双极无源元件与工艺改进
双极无源元件与工艺改进 在双极集成电路中，除了有源器件（npn/pnp 晶体管）之外，还需要各种无源元件来完成电路功能：扩散电阻提供偏置和负载，电容用于频率补偿和去耦，齐纳二极管提供参考电压。此外，工艺改进（介质隔离、高性能元件）可以显著提升电路性能。理解这些元件的结构、特性和寄生效应，是完成完整双极 IC 设计的关键。本文基于 Gray §2.6-§2.7 提炼。 前后关系 前置知识： IC制造基础工艺（§2.2）— 扩散、外延、氧化 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 双极工艺平台 双极晶体管大信号特性（§1.3）— pn 结特性 本书内部链条： 双极无源元件与工艺改进（本文）...