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pn结耗尽区分析
pn 结耗尽区分析 pn 结的耗尽区（空间电荷区）特性是理解所有集成电路器件（BJT、MOS、JFET、齐纳二极管、隔离寄生电容）的基础。反向偏置 pn 结的耗尽层宽度、电容、击穿特性直接影响晶体管输出电阻、频率响应、噪声性能以及版图寄生效应。本文基于 Gray §1.2 提炼。 前后关系 前置知识： 半导体物理基础（本征半导体、掺杂、载流子浓度） 基本电磁学（泊松方程、电场、电势） 采样理论基础 — 采样电容中的 pn 结寄生效应 本书内部链条： pn结耗尽区分析（本文，§1.2）→ 双极晶体管大信号特性（§1.3）— 集电极-基极耗尽区决定 Early 效应和击穿电压 → 双极晶体管小信号...
双极晶体管大信号特性
双极晶体管大信号特性 双极晶体管（BJT）的大信号特性描述了其直流（DC）行为，包括正向有源区、饱和区、反向有源区的电流-电压关系，以及击穿电压、Early 效应和电流增益随工作条件的变化规律。这些特性是所有双极模拟电路（运放、带隙基准、电流镜、输出级）偏置分析的基础。本文基于 Gray §1.3 提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析（§1.2）— pn 结耗尽区决定击穿和 Early 效应 半导体物理：少数载流子扩散、玻尔兹曼近似 本书内部链条： 双极晶体管大信号特性（本文，§1.3）→ 双极晶体管小信号模型（§1.4）— 小信号参数 g_m/r_π/r_o 由大信号偏置决定 → ...