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射频放大器与LNA设计
射频放大器与LNA设计 射频前端放大器的核心挑战是在 GHz 频段同时实现增益、噪声匹配和输入阻抗匹配（通常 50 Ω）。Gray §11.6-§11.7 系统介绍了从调谐放大器（利用 LC 谐振选择频率）、宽带射频放大器到低噪声放大器（LNA）的完整射频放大设计方法。LNA 的三种经典拓扑——源极退化 CS-LNA、共栅（CG）LNA和并联-并联反馈 LNA——各有不同的噪声-匹配折衷特性，构成了射频接收机前端设计的基础。 前后关系 前置知识： 宽带放大器技术（§11.1-§11.5）— 宽带放大技术基础 集成电路噪声分析（§7）— 热噪声和输入参考噪声 单管放大级（§3）— CS/CG 基...
无线系统中Phase Noise影响
无线系统中的 Phase Noise 影响 在无线收发机中，本地振荡器（LO）的相位噪声通过两个主要机制影响系统性能：发射机中破坏邻近信道频谱纯度（ACPR/EVM），接收机中通过 Reciprocal Mixing 将强 blocker 噪声折叠到带内。相位噪声约束往往决定了 VCO 和 PLL 的功耗与面积预算。 前后关系 前置知识： Jitter与Phase Noise关系 — 相位噪声定义与频域表示 电路中的Jitter与Phase Noise — VCO 相位噪声模型 本书内部链条： Ch.8（本文）→ Ch.4 振荡器设计指导 VCO 相位噪声预算 外部关联： CT-ΔΣ调制 — ...
集成电路噪声分析
集成电路噪声分析 噪声是限制模拟电路分辨率、灵敏度和动态范围的根本因素。IC 中的主要噪声源包括热噪声（电阻和沟道中的随机载流子运动）、散粒噪声（pn 结中载流子越过势垒的随机性）和闪烁噪声/1/f 噪声（MOS 栅氧界面陷阱对载流子的随机俘获-释放）。Gray §7 系统介绍了从最基本的噪声模型到完整运放噪声分析的方法论，包括如何将各种噪声源等效为输入参考噪声电压/电流，以及如何优化给定偏置条件下放大器的信噪比。本文基于 Gray §7.1-§7.5 提炼。 前后关系 前置知识： 双极晶体管小信号模型（§1.4）— BJT 小信号参数 MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— MOS ...
射频电路ESD保护设计
射频电路ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.8 概述 射频接收器中，低噪声放大器 (LNA) 是第一级模块，对 ESD 保护电路的寄生参数最为敏感。ESD 保护添加的额外寄生电容和电阻会退化 LNA 的输入匹配、增益和噪声性能。本章聚焦于窄带 LNA 的 ESD 保护策略，利用 RF 信号与 ESD 信号在频率和能量上的差异实现协同设计。 两种信号的主要差异： 能量/电压：ESD 信号电压极高 → ...