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Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析 Seidel & Wicht (2021): 本书系统阐述用于硅和GaN功率晶体管的高度集成栅极驱动器，核心贡献为 HVCS（高压电荷存储） 和 HVES（高压能量存储） 两种创新概念，分别实现面积高效的自举电容集成和超高效率的谐振式栅极驱动。全书覆盖从基础理论→概念验证→电路实现→实验验证→未来展望的完整闭环。 书籍定位 属性内容书名Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Trans...
多电平DCDC变换器拓扑
多电平 DC/DC 变换器拓扑 Meynard Ch.2 系统分类了多电平 DC/DC 变换器的拓扑族。从串联连接（飞电容）到并联连接（交错并联+ICT）再到串并联组合，建立了完整的多单元变换器拓扑体系。核心设计变量为串联单元数 nS 和并联单元数 nP。 1.
多电平变换器基础特性
多电平变换器基础特性 Meynard Ch.1 系统阐述了多电平（多单元）变换器的通用基本特性。这些特性独立于具体拓扑，适用于串联多电平和并联交错并联变换器。核心概念包括：多电平波形合成、等效开关频率倍增、谐波消除机制和瞬态响应分析。 1.
Thierry Meynard
Thierry Meynard 法国 CNRS（Centre National de la Recherche Scientifique）研究主任，LAPLACE 实验室（ENSEEIHT, INPT, University of Toulouse）研究员，CIRTEM 兼职顾问。飞电容变换器（Flying Capacitor Converter）的共同发明者，多电平/多单元功率变换器领域的核心人物。 基本信息 属性内容全名Thierry Meynard所属CNRS / LAPLACE, ENSEEIHT, INPT, University of Toulouse, France兼职CIRTE...