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HVCS高压电荷存储栅极驱动技术
HVCS 高压电荷存储栅极驱动技术 HVCS (High-Voltage Charge Storing) 是一种面积高效的自举电容集成技术，通过引入第二高压自举电容 CB2，在相同电荷传递需求下将自举电容面积减少 ~70%。适用于硅功率晶体管和中小型 GaN 晶体管的栅极驱动。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.3。 基本原理 传统自举电路的问题：CB1 充电至 ~5 V，仅能放电 ΔV1=0.5−1.5 V，电荷利用率低。 HVCS 核心思想：引入第二高压自举电容 CB2，初始充电至更高电压（如 15 V），放电时产生大压降（如 15 V → 5 V，ΔV...
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析 Seidel & Wicht (2021): 本书系统阐述用于硅和GaN功率晶体管的高度集成栅极驱动器，核心贡献为 HVCS（高压电荷存储） 和 HVES（高压能量存储） 两种创新概念，分别实现面积高效的自举电容集成和超高效率的谐振式栅极驱动。全书覆盖从基础理论→概念验证→电路实现→实验验证→未来展望的完整闭环。 书籍定位 属性内容书名Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Trans...