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HVES高压能量存储谐振栅极驱动技术
HVES 高压能量存储谐振栅极驱动技术 HVES (High-Voltage Energy Storing) 是一种谐振式栅极驱动概念，在栅极充电路径中引入电感 L 形成谐振拓扑，实现比传统方案 10 倍 的栅极电荷传递、+25% 的驱动速度提升以及 1.3 倍于 HVCS 的效率。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.4。 基本原理 HVES 栅极电荷传递 HVES 在栅极充电路径中引入电感 L，缓冲电容 CBuf 中的储能通过谐振转移到栅极节点 VGS： QG,ideal=VGSonCBuf⋅VC2(4.1) QG,ideal 与电感 L 无关（L...
大栅极环路与寄生电感利用技术
大栅极环路与寄生电感利用技术 基于 HVES 的大栅极环路栅极驱动器，利用寄生栅极环路电感 Lloop 本身作为谐振电感，无需额外片上电感，在驱动器和功率晶体管间距 ~25-50 cm 时仍能实现快速、鲁棒的栅极驱动。驱动速度比传统方案提升 ~40%，dV/dt 达 60 V/ns。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.5。 应用场景 驱动器和功率晶体管物理分离的需求： 极端温度：GaN 晶体管发热仅影响晶体管，不影响驱动器 优化装配：多层基板紧凑布线，陶瓷基板高电流/高温 高效散热：无驱动器的晶体管板可在基板两侧安装散热器 空间约束：功率模块或引擎中的给定距离 核...
Achim Seidel
Achim Seidel Robert Bosch GmbH 的研究工程师，与 Bernhard Wicht 合著 Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers（Springer, 2021），提出了 HVCS（高压电荷存储） 和 HVES（高压能量存储） 两种创新栅极驱动概念。 背景 供职机构：Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany 研究领域：功率集成电路、栅极驱动器设计、GaN 功率晶体管驱动 合著者：Bernhard Wicht 主要贡献 HVCS（高压电荷存储）：提...
Bernhard Wicht
Bernhard Wicht Leibniz University Hannover 教授，Robert Bosch GmbH 电源管理IC设计资深专家，与 Achim Seidel 合著 Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers（Springer, 2021），在功率集成电路和栅极驱动领域有深厚积累。 背景 供职机构：Leibniz University Hannover, Hannover, Germany（此前在 Robert Bosch GmbH 长期从事电源管理IC设计） 研究领域：功率集成电路设...
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析
Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析 Seidel & Wicht (2021): 本书系统阐述用于硅和GaN功率晶体管的高度集成栅极驱动器，核心贡献为 HVCS（高压电荷存储） 和 HVES（高压能量存储） 两种创新概念，分别实现面积高效的自举电容集成和超高效率的谐振式栅极驱动。全书覆盖从基础理论→概念验证→电路实现→实验验证→未来展望的完整闭环。 书籍定位 属性内容书名Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Trans...