此标签下有2条笔记。
ESD保护器件_TVS二极管GGNMOS
ESD保护器件（TVS/二极管/GGNMOS/SCR/LDMOS） 概述 Ch.3 系统阐述标准工艺器件与 ESD 保护器件的 脉冲击穿特性 和 设计方法。核心概念是 “免费”ESD 器件（free ESD device）——仅使用工艺已有掩模层、不增加额外工艺步骤即可实现的 ESD 保护结构。 所有 ESD 器件的行为都可追溯到 Ch.2 的 四种基本电导调制机制。器件设计的核心是在正反馈（snapback 触发）和负反馈（电流限制）之间取得平衡。 §3.1 集成工艺中的ESD特殊性 DGO CMOS 工艺基础 典型双栅氧（DGO）CMOS 工艺支持六种主要器件： LV NMOS/PMOS ...
ESD系统级设计
ESD系统级设计 概述 Ch.8 将 ESD 保护提升到 系统层面。系统级 ESD 与芯片级（HBM/CDM）的根本区别在于：系统需要在 工作状态 下承受 ESD 事件，且放电能量高 1-2 个数量级。本章重点讨论 片上系统级保护（on-chip system-level protection）的实现方法。 §8.1 系统级ESD标准与规范 芯片级 vs 系统级 ESD 特性芯片级（HBM/CDM）系统级（IEC）标准JEDEC / ESDAIEC 61000-4-2测试条件不供电正常工作供电峰值电流1.33-3.75 A15-30 A上升时间2-10 ns0.7-1 ns脉冲能量低高（10-...