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ESD保护器件_TVS二极管GGNMOS
ESD保护器件（TVS/二极管/GGNMOS/SCR/LDMOS） 概述 Ch.3 系统阐述标准工艺器件与 ESD 保护器件的 脉冲击穿特性 和 设计方法。核心概念是 “免费”ESD 器件（free ESD device）——仅使用工艺已有掩模层、不增加额外工艺步骤即可实现的 ESD 保护结构。 所有 ESD 器件的行为都可追溯到 Ch.2 的 四种基本电导调制机制。器件设计的核心是在正反馈（snapback 触发）和负反馈（电流限制）之间取得平衡。 §3.1 集成工艺中的ESD特殊性 DGO CMOS 工艺基础 典型双栅氧（DGO）CMOS 工艺支持六种主要器件： LV NMOS/PMOS ...
SCR ESD电源钳位
SCR ESD电源钳位 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.13，系统介绍 SCR（Silicon Controlled Rectifier）作为 ESD 电源钳位的设计——单向/双向 SCR、中电平 SCR、低压触发 SCR、LDMOS 电路（LOCOS/STI/隔离 STI）、DeMOS/DeNMOS/DeNMOS-SCR、UHV-LDMOS/UHV-LDMOS-SCR。 前后关系 前置知识： ESD电源钳位网络 — 电源钳位基础 pn结电流电压特性与击穿 — pn 结物理 1.
智能功率IC ESD保护设计
智能功率IC ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.7 概述 智能功率（Smart Power）技术在同一芯片上集成 CMOS 逻辑、低压模拟和高压驱动晶体管（VDD≈1.8-5 V 的低压器件和 VDD≈20-60 V 的高压器件）。典型应用包括工业功率执行器、可编程逻辑控制器、汽车电子和 LCD 驱动 IC。 ESD 保护策略分为两类： 非自保护方案：在 I/O 单元外额外添加 ESD 保护器...