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SCR ESD电源钳位
SCR ESD电源钳位 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.13，系统介绍 SCR（Silicon Controlled Rectifier）作为 ESD 电源钳位的设计——单向/双向 SCR、中电平 SCR、低压触发 SCR、LDMOS 电路（LOCOS/STI/隔离 STI）、DeMOS/DeNMOS/DeNMOS-SCR、UHV-LDMOS/UHV-LDMOS-SCR。 前后关系 前置知识： ESD电源钳位网络 — 电源钳位基础 pn结电流电压特性与击穿 — pn 结物理 1.
晶闸管与功率半导体器件
晶闸管与功率半导体器件 Sze Ch.11 系统覆盖了功率半导体器件物理：从经典 p-n-p-n 晶闸管特性（§11.2）、晶闸管变体（GTO、Diac/Triac、LASCR，§11.3），到现代功率器件（IGBT、SIT、SIThy，§11.4）。功率器件的核心诉求是在高电压大电流下实现高效开关与低导通损耗。本文基于 Sze Ch.11 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿、雪崩倍增 金属半导体接触与肖特基势垒 — 肖特基势垒、欧姆接触 MOSFET器件物理与缩放 — MOSFET 结构与缩放基础 本书内部链条： 隧道二极管与共振隧道二极管 → I...