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HVES高压能量存储谐振栅极驱动技术
HVES 高压能量存储谐振栅极驱动技术 HVES (High-Voltage Energy Storing) 是一种谐振式栅极驱动概念，在栅极充电路径中引入电感 L 形成谐振拓扑，实现比传统方案 10 倍 的栅极电荷传递、+25% 的驱动速度提升以及 1.3 倍于 HVCS 的效率。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.4。 基本原理 HVES 栅极电荷传递 HVES 在栅极充电路径中引入电感 L，缓冲电容 CBuf 中的储能通过谐振转移到栅极节点 VGS： QG,ideal=VGSonCBuf⋅VC2(4.1) QG,ideal 与电感 L 无关（L...
Class-D功率级损耗分析
本章深入分析Class-D放大器功率级的各类损耗机制，包括导通损耗、开关损耗、反向恢复损耗、容性开关损耗和栅极驱动损耗。理解这些损耗对于器件选型和效率优化至关重要。 11.1 损耗分类概述 Class-D放大器的功率开关损耗可分为五大类： 导通损耗（Conduction Losses） 开关损耗（Switching Losses） 反向恢复损耗（Reverse Recovery Losses） 容性开关损耗（Capacitive Switching Losses） 栅极驱动损耗（Gate Drive Losses） 11.2 导通损耗 导通损耗是最直观的损耗类型，由电流流经非理想功率开关的导...
Class-D栅极驱动电路
栅极驱动电路是Class-D放大器中控制功率MOSFET开关速度与精度的核心模块，其设计直接影响放大器效率、THD、EMI和可靠性。 1.