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Flash ADC与比较器设计
Flash ADC 与比较器设计 概述 EE247 Lectures 18-20 介绍了 Nyquist 率 ADC 中最快的架构——Flash ADC，及其核心单元比较器的设计方法。Flash ADC 通过并行比较实现最高转换速度，但面积和功耗随分辨率指数增长。 Flash ADC 架构 基本结构 电阻分压器产生 2^N 个参考电平 2^N-1 个比较器并行比较输入与各参考电平 比较器输出形成温度计码（Thermometer Code） 编码器将温度计码转换为二进制码 设计挑战 输入电容：2^N-1 个比较器输入电容并联 → 大输入电容（输入缓冲器功耗大） 功耗：每个比较器 3mW → 10...
存储器电路
存储器电路 半导体存储器是 VLSI 芯片中面积占比最大的电路模块。从 DRAM 的 1T1C 单元到 SRAM 的 6T 单元、从 NOR/NAND ROM 到浮栅 Flash，感测放大器的设计是决定存储性能的核心。Baker §16 以电路设计者视角深入讲解存储器阵列架构、感测放大器设计和存储单元操作。本文基于 Baker §16（§16.1-§16.3）。 前后关系 前置知识： CMOS反相器与数字逻辑 — 反相器、锁存器基础 MOS晶体管模型与特性 — MOS 开关、寄生电容 CMOS工艺与器件 — 阱、接触孔、版图 外部关联： CMOS反相器与数字逻辑 — 译码器、缓冲器 数据转换器...
非易失性半导体存储器
非易失性半导体存储器 Sze Ch.6 §6.7 系统介绍了非易失性半导体存储器（NVSM）的物理原理与器件结构。从 1967 年 Kahng 和 Sze 提出浮栅概念至今，NVSM 已成为半导体工业最重要的产品之一。本文覆盖存储器分类、浮栅器件（FAMOS/EPROM/EEPROM/Flash）、电荷俘获器件（MNOS/SONOS）的物理机制。基于 Sze Ch.6 §6.7 提炼。 前后关系 前置知识： MOSFET器件物理与缩放 — MOSFET 基本结构与阈值电压 MIS电容器与MOS结构 — 绝缘层中的电流输运 半导体载流子输运现象 — 热发射与隧道效应 1.