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CMOS反相器与数字逻辑
CMOS 反相器与数字逻辑 数字 CMOS 电路是 VLSI 的基石。从反相器到复杂逻辑门、从静态到动态逻辑、从锁存器到 VLSI 版图，Baker §11-15 以实践导向系统讲解了完整 CMOS 数字设计。本章基于 Baker §11-15，这是其他模拟 IC 教材（Gray/Razavi/Allen）未系统覆盖的领域。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — MOS 开关特性、Reff 模型 CMOS工艺与器件 — 阱/有源区/多晶硅版图 外部关联： PLL基本结构与传递函数 — 数字 PLL 中的逻辑门 运算放大器设计 — 数字与模拟的接口 存储器电路 — 存储单元是数字逻...
CMOS特殊电路
CMOS 特殊电路 CMOS 设计中除标准数字逻辑和模拟放大器之外，还存在大量特殊功能电路：施密特触发器用于噪声环境下的信号整形、多谐振荡器产生定时脉冲、输入缓冲器恢复片间传输的畸变信号、电荷泵在片内产生高于电源的电压。Baker §18 和 §27 系统介绍了这些电路的设计方法。这些内容在其他模拟 IC 教材（Gray/Razavi/Allen）中仅简略提及或分散在各处。 前后关系 前置知识： CMOS反相器与数字逻辑 — 反相器、传输门 MOS晶体管模型与特性 — 跨导、导通电阻 偏置电路与电流基准 — 电流源偏置 外部关联： Flash ADC与比较器设计 — 比较器（Baker §27...
存储器电路
存储器电路 半导体存储器是 VLSI 芯片中面积占比最大的电路模块。从 DRAM 的 1T1C 单元到 SRAM 的 6T 单元、从 NOR/NAND ROM 到浮栅 Flash，感测放大器的设计是决定存储性能的核心。Baker §16 以电路设计者视角深入讲解存储器阵列架构、感测放大器设计和存储单元操作。本文基于 Baker §16（§16.1-§16.3）。 前后关系 前置知识： CMOS反相器与数字逻辑 — 反相器、锁存器基础 MOS晶体管模型与特性 — MOS 开关、寄生电容 CMOS工艺与器件 — 阱、接触孔、版图 外部关联： CMOS反相器与数字逻辑 — 译码器、缓冲器 数据转换器...
Baker CMOS 电路设计、版图与仿真 深度解析
Baker《CMOS 电路设计、版图与仿真》深度解析 R. Jacob Baker, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, 3rd Edition, IEEE Press / Wiley, 2010.