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BiCMOS ESD电路设计
BiCMOS ESD电路设计 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.10，系统介绍 BiCMOS 工艺中的 ESD 电路设计——双极 ESD 输入电路、二极管配置双极输入、电压触发双极输入（电阻接地基极/齐纳击穿/BV_CEO 触发/超低正向偏置触发）、双极缩放、BiCMOS 混合信号设计。 前后关系 前置知识： BiCMOS技术HBT与互连 — BiCMOS 工艺基础 ESD二极管设计 — 二极管 ESD 设计 MOSFET ESD设计 — MOSFET ESD 设计 1.
ESD Circuits and Devices 深度解析
ESD Circuits and Devices 深度解析 ESD: Circuits and Devices, Second Edition（Wiley, 2015）由 Steven H.
BiCMOS技术、HBT与互连
BiCMOS 技术、HBT 与互连 BiCMOS 技术将双极器件（高速、大电流驱动、低噪声）和 CMOS 器件（高密度、低功耗）的优点集成在同一芯片上。异质结双极晶体管（HBT） 通过使用宽带隙发射极（如 SiGe 基区）突破传统 BJT 的性能极限，实现了高达数百 GHz 的 f_T。此外，互连延迟 在深亚微米工艺中成为限制性能的主导因素，而 制造良率与成本 是决定产品可行性的关键经济因素。本文基于 Gray §2.11-§2.14 提炼。 前后关系 前置知识： 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 双极器件结构 CMOS工艺与器件（§2.8-§2.10）— CMOS 工艺和器件 ...
Gray 模拟集成电路分析与设计 深度解析
Gray 模拟集成电路分析与设计 深度解析 Analysis and Design of Analog Integrated Circuits（Paul R. Gray, Paul J. Hurst, Stephen H. Lewis, Robert G.