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双极晶体管微波特性与异质结
双极晶体管微波特性与异质结 双极晶体管在高频/微波领域具有核心地位。Sze Ch.5 §5.3 系统分析了 BJT 的截止频率 fT 各延迟分量、s 参数与功率增益、噪声系数及开关特性。§5.5 则深入异质结双极晶体管（HBT）的物理机制——通过能带工程大幅提升电流增益和高频性能。本文基于 Sze Ch.5 §5.3 & §5.5 提炼。 前后关系 前置知识： 双极晶体管大信号特性 — 大信号偏置与 Early 效应 双极晶体管小信号模型 — Hybrid-π 模型与寄生参数 半导体异质结与纳米结构 — 异质结能带不连续性 本书内部链条： 双极晶体管微波特性与异质结（本文）→ JFE...
BiCMOS技术、HBT与互连
BiCMOS 技术、HBT 与互连 BiCMOS 技术将双极器件（高速、大电流驱动、低噪声）和 CMOS 器件（高密度、低功耗）的优点集成在同一芯片上。异质结双极晶体管（HBT） 通过使用宽带隙发射极（如 SiGe 基区）突破传统 BJT 的性能极限，实现了高达数百 GHz 的 f_T。此外，互连延迟 在深亚微米工艺中成为限制性能的主导因素，而 制造良率与成本 是决定产品可行性的关键经济因素。本文基于 Gray §2.11-§2.14 提炼。 前后关系 前置知识： 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 双极器件结构 CMOS工艺与器件（§2.8-§2.10）— CMOS 工艺和器件 ...