此标签下有1条笔记。
BiCMOS技术、HBT与互连
BiCMOS 技术、HBT 与互连 BiCMOS 技术将双极器件（高速、大电流驱动、低噪声）和 CMOS 器件（高密度、低功耗）的优点集成在同一芯片上。异质结双极晶体管（HBT） 通过使用宽带隙发射极（如 SiGe 基区）突破传统 BJT 的性能极限，实现了高达数百 GHz 的 f_T。此外，互连延迟 在深亚微米工艺中成为限制性能的主导因素，而 制造良率与成本 是决定产品可行性的关键经济因素。本文基于 Gray §2.11-§2.14 提炼。 前后关系 前置知识： 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 双极器件结构 CMOS工艺与器件（§2.8-§2.10）— CMOS 工艺和器件 ...