Achim Seidel

Robert Bosch GmbH 的研究工程师，与 Bernhard Wicht 合著 Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers（Springer, 2021），提出了 HVCS（高压电荷存储） 和 HVES（高压能量存储） 两种创新栅极驱动概念。

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背景

• 供职机构：Robert Bosch GmbH, Reutlingen, Germany
• 研究领域：功率集成电路、栅极驱动器设计、GaN 功率晶体管驱动
• 合著者：Bernhard Wicht

主要贡献

• HVCS（高压电荷存储）：提出第二高压自举电容 $C_{B2}$ 概念，使自举电容面积减少 ~70%
• HVES（高压能量存储）：提出谐振式栅极驱动，利用电感 $L$ 在栅极充电路径中谐振，实现 11.6 nC 栅极电荷传递和 1.5 A 峰值电流
• 大栅极环路 HVES 驱动器：利用寄生栅极环路电感作为谐振元件，实现 25-50 cm 距离下的高速驱动（60 V/ns）
• 自举电容尺寸系统化方法：建立了考虑最坏角点的尺寸计算公式（Eq. 3.7-3.9）

与知识库中其他资源的关系

• Highly Integrated Gate Drivers for Si and GaN Power Transformers 深度解析 — 合著专著的深度解析
• HVCS高压电荷存储栅极驱动技术 — HVCS 核心概念页
• HVES高压能量存储谐振栅极驱动技术 — HVES 核心概念页
• 大栅极环路与寄生电感利用技术 — 大栅极环路 HVES 概念页