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半导体载流子输运现象
半导体载流子输运现象 载流子输运是半导体器件工作的物理基础。从漂移、扩散到热发射、隧道效应，不同输运机制在不同器件中占主导地位。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.5 提炼，涵盖 8 种输运机制。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度 半导体能带理论与带隙 — 有效质量 本书内部链条： 半导体载流子输运现象（本文）→ pn结电流电压特性与击穿 — 漂移+扩散决定 I-V → 金属半导体接触与肖特基势垒 — 热发射/隧道效应主导 M-S 接触 → 隧道二极管与共振隧道二极管 — 隧道效应器件 →...
半导体传感器概述
半导体传感器概述 Sze Ch.14 系统阐述了半导体传感器物理：从热传感器（§14.2）、机械传感器（§14.3）、磁传感器（§14.4）到化学传感器（§14.5）。传感器将物理/化学量转换为电信号，是 MEMS 和物联网的核心器件。本文基于 Sze Ch.14 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体载流子输运现象 — 迁移率、霍尔效应、压阻效应 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度温度依赖 pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结温度特性 MIS电容器与MOS结构 — MOS 结构（ISFET 基础） 本书内部链条： 传感器是半导体器件物理的延伸应用，与 Part I–IV 的器件...