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半导体载流子输运现象
半导体载流子输运现象 载流子输运是半导体器件工作的物理基础。从漂移、扩散到热发射、隧道效应，不同输运机制在不同器件中占主导地位。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.5 提炼，涵盖 8 种输运机制。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度 半导体能带理论与带隙 — 有效质量 本书内部链条： 半导体载流子输运现象（本文）→ pn结电流电压特性与击穿 — 漂移+扩散决定 I-V → 金属半导体接触与肖特基势垒 — 热发射/隧道效应主导 M-S 接触 → 隧道二极管与共振隧道二极管 — 隧道效应器件 →...
IC制造基础工艺
IC 制造基础工艺 集成电路制造依赖于一系列物理和化学工艺步骤，将设计好的电路图案精确地转移到硅片上。扩散、光刻、外延生长、离子注入、热氧化和多晶硅沉积是构成所有 IC 工艺（双极、CMOS、BiCMOS）的基本构建块。理解这些基础工艺的原理和局限性，对于模拟 IC 设计中的器件选择、寄生评估和版图规划至关重要。本文基于 Gray §2.2 提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析（§1.2）— 掺杂浓度决定耗尽区特性 半导体物理：本征/非本征半导体、载流子浓度 本书内部链条： IC制造基础工艺（本文，§2.2）→ 双极IC工艺与器件结构（§2.3-§2.5）— 基础工艺组合构成双极流程...