此标签下有1条笔记。
MOS晶体管模型与特性
MOS 晶体管模型与特性 MOS 晶体管是现代 VLSI 和绝大多数模拟集成电路的核心器件。其大信号模型描述漏极电流与栅极/漏极电压之间的非线性关系，小信号模型则用于线性化分析。理解 MOS 晶体管的 I-V 特性、跨导、输出电阻、体效应和频率响应，是设计 CMOS 模拟电路（运放、电流镜、开关电容电路）的基础。本文基于 Gray §1.5-§1.6 提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析（§1.2）— 源/漏结耗尽电容、体效应中的耗尽区 半导体物理：反型层、载流子迁移率 本书内部链条： MOS晶体管模型与特性（本文，§1.5-§1.6）→ 短沟道效应与弱反型（§1.7-§1.8）— ...