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Class-D EMI抑制技术
本章深入讨论Class-D放大器的电磁干扰（EMI）问题及其抑制方法。Class-D的高频高速开关特性使其天然成为EMI源，效率与EMI之间的矛盾需要通过精心的电路设计、布局和滤波来解决。 15.1 Class-D产生EMI的原因 Class-D放大器在高开关频率（>250kHz）下以快速上升/下降时间切换高电压和大电流，天然具有EMI倾向。 效率与EMI的矛盾： 提高效率 → 加快开关速度 → 减少过渡时间 加快开关速度 → 更高的 dv/dt 和 di/dt → 更多EMI 15.2 电流环路（磁场，B-Field） 15.2.1 开关电流环路作为发射天线 开关电流在电路环路中构成...
Class-D PCB布局与热设计
本章详细介绍Class-D放大器的PCB布局和热设计。精心的PCB布局对Class-D实现高性能至关重要——再优秀的原理图设计，没有良好的布局也难以发挥效果。 16.1 不良布局的后果 不良PCB布局可导致： EMI发射和敏感性 开关波形振铃和过冲 过大电压降 串扰 热问题 THD和噪声增加 16.2 PCB布局规划 16.2.1 元件放置三要素 信号流向：从输入到输出的逻辑路径 噪声耦合：隔离噪声源和敏感电路 热考虑：散热路径规划 16.2.2 功能模块分组 音频输入电路 PWM控制电路 栅极驱动级 开关功率级 辅助电路 故障处理电路 电压调节器（DCDC + LDO） 16.2.3 就近...