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GaN功率晶体管栅极驱动特性
GaN 功率晶体管栅极驱动特性 GaN（氮化镓）功率晶体管因其宽禁带特性，具有极低导通电阻、极低寄生电容和超高开关速度（dV/dt 达 1000 V/ns），但同时对栅极驱动提出了严格的电压额定限制和特殊的驱动方案需求。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.2, Ch.4。 GaN 器件结构 2DEG 与增强型方案 AlGaN/GaN 异质结构形成高导电 2DEG（二维电子气） 天然为耗尽型（normally-on） 器件 增强型（normally-off）方案： p-GaN（EPC eGaN®-FET）：p 掺杂层插入栅极与 AlGaN 之间 GIT（Gate In...
Class-D栅极驱动电路
栅极驱动电路是Class-D放大器中控制功率MOSFET开关速度与精度的核心模块，其设计直接影响放大器效率、THD、EMI和可靠性。 1.
Class-D电平转换电路
电平转换电路是Class-D放大器中连接PWM调制器与栅极驱动器的关键桥梁，负责在不同参考电位之间无损传递高速逻辑信号，同时维持极低的传播延迟和高共模瞬态抗扰度。 1.