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GaN功率晶体管栅极驱动特性
GaN 功率晶体管栅极驱动特性 GaN（氮化镓）功率晶体管因其宽禁带特性，具有极低导通电阻、极低寄生电容和超高开关速度（dV/dt 达 1000 V/ns），但同时对栅极驱动提出了严格的电压额定限制和特殊的驱动方案需求。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.2, Ch.4。 GaN 器件结构 2DEG 与增强型方案 AlGaN/GaN 异质结构形成高导电 2DEG（二维电子气） 天然为耗尽型（normally-on） 器件 增强型（normally-off）方案： p-GaN（EPC eGaN®-FET）：p 掺杂层插入栅极与 AlGaN 之间 GIT（Gate In...