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Opamp与Gm-Block与CMOS反相器设计选择
Opamp与Gm-Block与CMOS反相器设计选择 运放（Opamp）、跨导模块（Gm-Block）和 CMOS 反相器（Inverter）是模拟放大器三大基本构建块。随着工艺缩放，CMOS 反相器逐渐在高频应用中取代传统运放和 Gm 模块。Willy Sansen 在 AACD 2015 系统比较了这三者的优劣势及适用场景。 三种放大器对比 特性OpampGm-BlockCMOS Inverter增益高（> 60dB）中（30–50dB）低（20–30dB）线性度最高（深度负反馈）中（需内部反馈）低（开环）带宽受限（Miller 补偿）高（可调谐）最高（最小寄生）功耗效率低中最高弱反...
短沟道效应与弱反型
短沟道效应与弱反型 随着 CMOS 工艺特征尺寸不断缩小（进入深亚微米和纳米时代），长沟道 MOS 的平方律模型在许多实际设计中不再准确。速度饱和、迁移率退化、DIBL 等短沟道效应显著改变器件的 I-V 特性；同时，弱反型（亚阈值） 导电在低功耗模拟设计中日益重要。理解这些非理想效应是现代模拟 IC 设计的基本要求。本文基于 Gray §1.7-§1.8 和 §1.9 提炼。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— 长沟道平方律模型作为比较基准 pn结耗尽区分析（§1.2）— 源/漏结耗尽区 本书内部链条： 短沟道效应与弱反型（本文，§1.7-§1.8）→ 单管...