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RF功率放大器效率增强技术
RF功率放大器效率增强技术 CMOS RF 功率放大器面临低电压（薄氧化层器件）与高输出功率之间的矛盾，同时现代通信信号的高 PAPR 要求在功率回退时也保持高效率。Reynaert/Francois（KU Leuven）在 AACD 2015 系统综述了功率合成、Doherty PA、数字辅助等效率增强技术。 核心挑战 低电压 vs 高功率：CMOS 薄氧化层器件 VDD < 1.8V → 需要功率合成 效率-线性度折中：高效率（Class E/F）vs 高线性度（Class A/AB） 回退效率：高 PAPR 信号在平均功率时效率急剧下降 技术分类 1.
Christian Enz
Christian Enz 瑞士 EPFL（洛桑联邦理工学院）教授，IEEE Fellow，在低功耗 RF IC 设计、MOSFET 噪声建模、FBAR 频率合成器方面有杰出贡献。 简介 Christian Enz 是 EPFL 教授，IEEE Fellow，曾任瑞士电子与微技术中心（CSEM）副总裁。他在低功耗模拟/RF IC 设计、MOSFET 噪声模型（EKV 模型联合创始人）、FBAR 振荡器与频率合成器、超低功耗无线传感器网络等方面有重要贡献。 核心贡献 EKV MOSFET 模型：与 Enz、Krummenacher、Vittoz 共同开发 EKV 紧凑模型 FBAR 频率合成器：...
Eric Klumperink
Eric Klumperink 荷兰特温特大学（University of Twente）教授，在 N-Path 滤波器、认知无线电 RF 前端、软件无线电方面有突出贡献。 简介 Eric A.M.
Patrick Reynaert
Patrick Reynaert 比利时鲁汶大学（KU Leuven）教授，IEEE Senior Member，在 RF 与毫米波功率放大器设计、CMOS 功率合成技术方面有突出贡献。 简介 Patrick Reynaert 是 KU Leuven ESAT-MICAS 实验室教授，IEEE Senior Member。他的研究聚焦于 CMOS RF 与毫米波集成电路设计，特别是在功率放大器效率增强技术、Doherty PA、变压器功率合成、mm-Wave 通信系统方面有系统性的贡献。 核心贡献 CMOS 功率合成：片上变压器功率合成实现 Watt 级 CMOS PA Doherty PA ...
Rinaldo Castello
Rinaldo Castello 意大利帕维亚大学（University of Pavia）教授，IEEE Fellow，在模拟/RF IC 设计领域有广泛贡献，特别是在推挽放大器线性化、RF 接收机架构方面。 简介 Rinaldo Castello 是帕维亚大学（University of Pavia）电气工程系教授，IEEE Fellow。他在模拟和射频集成电路设计有超过 40 年经验，在运放线性化技术、开关电容电路、RF CMOS 接收机架构等方面有重要贡献。 核心贡献 推挽放大器线性化三步骤方法论：系统化框架用于推挽放大器闭环失真最小化 RF CMOS 接收机：早期 CMOS RF 前...
Yao-Hong Liu
Yao-Hong Liu 荷兰 imec/Holst Centre 资深科学家，在超低功耗 RF 接收机、相位域接收机架构、物联网无线通信系统方面有突出贡献。 简介 Yao-Hong Liu 是 imec/Holst Centre（荷兰埃因霍温）资深科学家。他的研究聚焦于超低功耗 RF 收发机设计，特别是面向物联网与体域网应用的相位域接收机、滑动中频架构、数字辅助 RF 前端。 核心贡献 相位域接收机（SIF-PDC）：滑动中频相位-数字转换接收机架构，省去模拟 I/Q 处理节省 40% 功耗 超低功耗 2.4GHz RX：实现 1.2 nJ/bit 能效的 FSK/PSK 接收机 本知识库收...
相位-频率传递模型
相位-频率传递 (Phase-Frequency Transfer) 模型 相位-频率传递 (Phase-Frequency Transfer, PFT) 模型 是 Martens & Gielen《High-Level Modeling and Synthesis of Analog Integrated Systems》(2008) Ch.5 提出的全新频域建模框架。核心创新是用 Polyphase Harmonic Transfer Matrix (PHTM) 统一表示多相（多分支）RF 前端的线性/非线性行为，支持下变频/上变频操作，并自然处理频率偏移和非理性效应。 动机与需求...
模拟RF无源元件ESD设计
模拟RF无源元件ESD设计 📚 Voldman ESD 补充：本页基于 ESD: Circuits and Devices Ch.6，系统介绍模拟/RF 电路中无源元件的 ESD 设计——版图匹配（局部/全局/对称/热对称）、公共质心设计（一轴/两轴）、交叉指插设计、电阻元件 ESD（dogbone/交叉指/虚拟/热电消除/静电屏蔽）、电容/电感 ESD 设计。 前后关系 前置知识： ESD无源电阻设计 — 无源电阻 ESD 射频放大器与LNA设计 — RF 电路基础 本书内部链条： ESD无源电阻设计 → 模拟RF无源ESD（本文）→ 离片驱动器OCD与ESD 1.
带通ΔΣ调制器
带通ΔΣ调制器 将低通 ΔΣ 调制的噪声整形能力从 dc 附近搬移到任意中频 f0 附近，使 IF/RF 信号的直接数字化成为可能。 前后关系 上下文：§1.7 在讨论完全部低通（LP）ΔΣ 调制器变体后，引入带通版本。低通 ΔΣ 调制器的 NTF 在 dc 附近有零点，而带通版本将零点搬移到 f0 附近。 后续章节： Ch.11 详细讨论带通 ΔΣ 调制器的设计方法、性能限制、电路实现 原理介绍 何时需要带通？ 信号能量集中在窄带内，带宽 fB≪f0 例如：RF 接收机中 IF 信号（如 f0=10.7 MHz 或 f0=140 MHz） 低通 ΔΣ 调制的 NTF 高通向低频抑...