Steven H. Voldman
Steven H. Voldman，IEEE Fellow（ESD 领域首位 IEEE Fellow），半导体 ESD（静电放电）保护设计领域的世界级权威。在 IBM 工作 25 年后，先后在 Qimonda、TSMC、Intersil、Samsung 等公司担任 ESD 技术领导职务。著有 ESD 专著系列 9 本，是 TLP（Transmission Line Pulse）测试标准的发起者之一。
基本信息
| 属性 | 内容 |
|---|---|
| 全名 | Steven H. Voldman |
| 荣誉 | IEEE Fellow（ESD 领域首位） |
| 职业经历 | IBM（25年）→ Qimonda → TSMC → Intersil → Samsung |
| 研究领域 | ESD 保护电路设计、TLP 测试、半导体可靠性 |
| 代表著作 | ESD 专著系列 9 本（Wiley） |
| 标准化贡献 | SEMATECH ESD 工作组主席、TLP 标准发起者 |
学术贡献
- ESD 领域首位 IEEE Fellow：因对 ESD 保护电路设计的系统性贡献当选
- TLP 标准发起者：推动 Transmission Line Pulse 测试成为 ESD 器件表征的行业标准（ANSI/ESD SP5.5.1）
- SEMATECH ESD 工作组主席：领导半导体制造联盟的 ESD 标准制定
- ESD 专著系列：9 本系统性专著覆盖 ESD 从基础到高级的全部领域
- 17 条设计原则：系统化总结 ESD 保护设计的方法论
- 250+ 美国专利：在 ESD 保护电路领域持有大量专利
代表著作
ESD 专著系列（Wiley）
- ESD in Integrated Circuits (1998) — ESD 领域首部系统性专著
- ESD Design for Integrated Circuits (1999)
- ESD: Circuits and Devices (2001, 2nd ed. 2015) — 核心教材
- ESD: Physics and Devices (2005)
- ESD: Failure Simulation Models (2009)
- Latchup (2007) — 闩锁效应专著
- ESD: Design Methodology (2009)
- Passive On-Chip ESD Devices (2010)
- Advanced ESD Protection and Latchup in CMOS Technology (2010)
关联页面
- ESD Circuits and Devices 深度解析 — 核心来源页
- ESD基础概念与设计原则 — 17 条设计原则
- ESD测试模型与系统级模型 — ESD 模型参数
- ESD芯片设计综合与架构 — 芯片设计综合
- MOSFET ESD设计 — MOSFET ESD 设计
- ESD二极管设计 — 二极管 ESD 设计
- ESD电源钳位网络 — 电源钳位设计
- SCR ESD电源钳位 — SCR 电源钳位