Elie Maricau
Elie Maricau，比利时 KU Leuven（鲁汶大学）ESAT-MICAS 实验室研究员。与 Georges Gielen 合著《Analog IC Reliability in Nanometer CMOS》(Springer, 2013)，是纳米 CMOS 模拟 IC 可靠性建模与仿真领域的系统性专著。
基本信息
| 属性 | 内容 |
|---|---|
| 全名 | Elie Maricau |
| 所属 | KU Leuven, ESAT-MICAS（比利时鲁汶大学微电子系） |
| 研究领域 | 纳米 CMOS 模拟 IC 可靠性、老化效应紧凑模型、可靠性仿真方法 |
| 代表著作 | Analog IC Reliability in Nanometer CMOS (Springer, 2013) |
| 合作者 | Georges Gielen |
学术贡献
- 晶体管老化紧凑模型：提出支持时变应力的 HCI/BTI/TDDB 紧凑模型（Ch.3），可直接嵌入标准 SPICE 仿真器
- 模拟 IC 可靠性仿真方法：开发确定性→随机→层次化三级仿真流程（Ch.5），解决大规模模拟电路可靠性评估的计算瓶颈
- BTI 永久+可恢复分量模型：将 BTI 退化分解为永久分量 和可恢复分量 ，支持时变电压应力外推
- 亚 45nm BTI 随机化效应：揭示纳米尺度下 BTI 从确定性到随机性的转变
- DFR 仿真流程：将可靠性仿真嵌入 Design for Reliability 工业流程
代表著作
- Analog IC Reliability in Nanometer CMOS (with Georges Gielen, Springer, 2013) — Maricau Analog IC Reliability in Nanometer CMOS 深度解析
关联页面
- Georges Gielen — 长期合作者
- Maricau Analog IC Reliability in Nanometer CMOS 深度解析 — 来源页
- CMOS晶体管老化效应 — HCI/BTI/TDDB/EM 物理机制
- 晶体管老化紧凑模型 — 紧凑模型开发
- 模拟IC可靠性仿真方法 — 仿真方法