CMOS VFC 完整设计实例

Azcona 等人在 0.18-μm CMOS 工艺下实现了四款完整的 VFC 芯片:VFC1(可编程,1.8V/<0.4mW)、VFC2(Rail-to-Rail,1.2V/<70μW)、VFC3/VFC4(差分输入,1.2V/<75μW)。所有芯片均经过流片验证,覆盖全温度范围(-40°C ~ +120°C)和电源电压变化测试。本文基于 Azcona Voltage-to-Frequency Converters: CMOS Design and Implementation Ch.4。


前后关系

前置知识:

内部链条:

  • VFC压频转换器基础与架构 → V-I转换器 → 偏置与控制 → 本文(VFC完整设计实例)

外部关联:


VFC1:可编程CMOS VFC

设计规格与架构

参数值
工艺0.18-μm CMOS (UMC Mixed-Mode/RF)
电源电压1.8V (单电源)
功耗<0.4mW
输入范围~0-1.6V (近满摆幅)
输出频率可编程三档,适合不同 μC 时钟
温度范围-40°C ~ +120°C
特征数字可编程 + 温度补偿

系统模块

V-I转换器 (Fig.4.1): 采用增强型V-I转换器(基于Ch.3.1.2的OTA-共源Cascode拓扑)。

可编程双向电流积分器 (Fig.4.2a, Table 4.1):

  • 三位数字控制 (a1, a2) 选择不同的积分电容组合
  • 实现三档输出频率范围
  • 晶体管尺寸由Table 4.1给出

控制电路 (Fig.4.3):

  • Fig.4.3a: RS触发器和控制逻辑
  • Fig.4.3b: 两个带Enable的比较器(施密特触发型)

测试结果

输出波形 (Fig.4.5):

  • (a1,a2)=(1,0): V_in=0.1V时低频输出;V_in=1.6V时高频输出
  • (a1,a2)=(0,1): 中频范围
  • (a1,a2)=(1,1): 最高频范围

频率-电压特性 (Fig.4.6):

  • 脉冲计数器和μC两种测量方法结果一致
  • 相对误差在三个编程范围内均保持较低水平

温度特性 (Fig.4.7):

  • 在 -40°C 和 +120°C 极端温度下,f_0 vs V_in 曲线保持基本一致
  • 验证了温度补偿设计的有效性

版图与实验 (Fig.4.4): Layout、芯片显微照片、PCB、热腔实验装置。

性能总结 (Table 4.2):

  • 输入范围:0.1V ~ 1.6V
  • 三个可编程频率范围覆盖不同应用需求
  • 温度补偿:有效(-40°C ~ +120°C)
  • 单电源1.8V,功耗<0.4mW

VFC2:CMOS Rail-to-Rail VFC

设计规格与架构

参数值
工艺0.18-μm CMOS
电源电压1.2V (单电源, 极低电压)
功耗<70μW (超低功耗)
输入范围Rail-to-Rail (0 ~ V_DD)
输出频率含偏移频率 (offset frequency)
温度范围-40°C ~ +120°C

系统模块

V-I转换器 (Fig.4.8):

  • Rail-to-Rail 输入 (基于Ch.3.1.3的FFVA/FBVA/FFCA方案)
  • 双OTA结构:主OTA + 辅助OTA_aux
  • 主OTA (Fig.4.9a): 互补差分输入对
  • 辅助OTA_aux (Fig.4.9b): 用于偏置和共模稳定

低压双向电流积分器 (Fig.4.10):

  • 电流转向(current steering)技术
  • 1.2V低电压工作

比较器 (Fig.4.11):

  • 两个带Enable的低电压比较器
  • 优化功耗

关键设计特征

偏移频率设计:

  • 在 V_in = 0V 时输出非零频率
  • 目的:使输出频率范围位于DCM(直接计数法)误差较小的区域
  • 避免低频时DCM量化误差过大

测试结果

输出波形 (Fig.4.13):

  • (a) V_in=0.0V: 偏移频率可见
  • (b) V_in=1.2V: 满摆幅输出

频率-电压特性 (Fig.4.14):

  • f_0 vs V_in 表现出良好的线性度
  • 脉冲计数器和μC测量结果一致性高
  • 相对误差在大部分输入范围内保持低水平

温度特性 (Fig.4.15):

  • -40°C: 最大相对误差出现在该温度
  • +120°C: 特性稳定
  • 总体温度稳定性良好

性能总结 (Table 4.3):

  • Rail-to-Rail 输入(0 ~ 1.2V)
  • 含偏移频率,优化DCM性能
  • 1.2V单电源
  • 功耗 <70μW
  • 温度补偿有效

VFC3:差分输入VFC

设计规格与架构

参数值
工艺0.18-μm CMOS
电源电压1.2V (单电源)
功耗<75μW
输入类型差分 Rail-to-Rail
温度范围-40°C ~ +120°C
电源抑制1.0-1.4V变化

系统模块

差分V-I转换器 (Fig.4.16, Table 4.4):

  • 差分输入级,直接处理差分信号(如Wheatstone电桥输出)
  • 完整的晶体管尺寸表(Table 4.4)
  • 将差分电压转换为差分电流

双向电流积分器 (Fig.4.17):

  • 差分电流到单端电流的转换
  • 低电压设计

偏置电流产生 (Fig.4.18):

  • 自偏置结构,产生系统所需的所有偏置电流
  • 与β-Multiplier类似,但经过定制优化

Sign电路 (Fig.4.19):

  • 判断差分输入电流的方向极性
  • 产生积分方向控制信号

测试结果

温度特性 (Fig.4.20):

  • -40°C 和 +120°C 下 f_0 vs V_in
  • 差分输入模式下保持良好的温度稳定性

电源电压特性 (Fig.4.21):

  • 1.0V, 1.2V, 1.4V 三种电源电压下 f_0 vs V_in
  • 良好的电源抑制能力

性能总结 (Table 4.5):

  • 差分 Rail-to-Rail 输入
  • 1.2V单电源
  • 功耗 <75μW
  • 温度补偿有效
  • 电源抑制好(1.0-1.4V变化)

VFC4:差分输入VFC改进版

设计规格与架构

参数值
工艺0.18-μm CMOS
电源电压1.2V (单电源)
功耗<75μW
输入类型差分 Rail-to-Rail
改进方向在VFC3基础上优化

完整系统架构 (Fig.4.22): 在 VFC3 基础上改进差分 V-I 转换器,调整晶体管尺寸(Table 4.6)以优化线性度和温度稳定性。

测试结果

温度特性 (Fig.4.23): -40°C 和 +120°C 下 f_0 vs V_in 电源特性 (Fig.4.24): 1.0-1.4V 电源变化下 f_0 vs V_in

双极性差分版本:

  • 温度特性 (Fig.4.25): -40°C 和 +120°C
  • 电源特性 (Fig.4.26): 1.0-1.4V

性能总结 (Table 4.7):

  • 差分 Rail-to-Rail 输入
  • 1.2V单电源
  • 功耗 <75μW
  • 较 VFC3 有改进

四款VFC综合对比

参数VFC1VFC2VFC3VFC4
工艺0.18μm0.18μm0.18μm0.18μm
电源1.8V1.2V1.2V1.2V
输入范围近Rail (0~1.6V)Rail-to-Rail差分Rail-to-Rail差分Rail-to-Rail
功耗<0.4mW<70μW<75μW<75μW
温度补偿是是是是
可编程是 (3档)否否否
偏移频率否是否否
输入类型单端单端差分差分

应用场景推荐:

  • VFC1: 需要多频率范围灵活配置的通用WSN节点
  • VFC2: 超低功耗、单电源、Rail-to-Rail输入的传感器接口
  • VFC3/VFC4: 差分信号源(Wheatstone电桥、差分传感器)的精密测量

与现有集成VFC文献对比

与文献中已有的6款集成VFC (Tables 1.5, 4.8) 相比,本书的VFC具有以下独有优势:

  1. 最低电源电压: VFC2/VFC3/VFC4 在 1.2V 工作(此前最低 2.5V)
  2. 超低功耗: VFC2 仅 70μW(此前最低 0.8mW)
  3. Rail-to-Rail 输入: 此前无任何集成VFC实现全摆幅输入
  4. 差分输入: VFC3/VFC4 是唯一的全差分CMOS VFC方案
  5. 温度补偿: 所有四款VFC均采用电路级温度补偿(此前仅1篇文献[CAI94]考虑温度补偿)

参考