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CMOS工艺与器件
CMOS 工艺与器件 CMOS（互补金属-氧化物-半导体）技术是当今绝大多数集成电路的工艺基础。CMOS 在同一芯片上同时提供 NMOS 和 PMOS 晶体管，具有静态功耗极低的优点。对于模拟电路，CMOS 提供高输入阻抗的 MOS 管、高质量的开关和电容、以及与数字电路单片集成的能力。理解 CMOS 工艺的制造流程、器件特性、无源元件和闩锁效应，是现代模拟 IC 设计的基本素养。本文基于 Gray §2.8-§2.10 提炼。 前后关系 前置知识： IC制造基础工艺（§2.2）— 氧化、光刻、多晶硅、离子注入 MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— MOS 器件电特性 短沟道效应与弱...