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Binkley Ch4 — MOS性能权衡与差分对电流镜设计
Binkley Ch4 — Tradeoffs in MOS Performance + Differential Pairs and Current Mirrors 本章基于 Ch3 的完整性能表达式，系统呈现 MOS 器件性能随 ID/IC/L 变化的权衡关系，并通过差分对和电流镜的完整设计实例演示优化方法。 §4.2 性能趋势 IC↑（ID, L 固定） 性能指标趋势原因W/L, WL↓↓面积减小Cgsi+Cgbi↓面积减小VEFF, VDSsat↑↑过驱动增加gm/ID, gm↓效率降低VA↑（略升）DIBL 减弱AVi=(gm/ID)VA↓gm/ID ...
差分放大器与失调分析
差分放大器与失调分析 差分放大器（差分对）是模拟集成电路中最重要的基本结构，几乎所有运放的输入级都使用差分对。差分对只放大两个输入端之间的差模信号，而抑制两个输入端的共模信号，这种特性使其具有优越的抗干扰能力。理解差分对的 DC 传输特性（大信号摆幅和线性范围）、小信号参数（差模增益、共模增益、CMRR）以及 器件失配导致的失调电压，是掌握运放设计的关键。本文基于 Gray §3.5 提炼。 前后关系 前置知识： 单管放大级（§3.1-§3.3）— CE/CS 放大级的基本特性 双极晶体管大信号特性（§1.3）— V_BE 指数特性 MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— 平方律特性 ...