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ESD先进CMOS技术挑战
ESD先进CMOS技术挑战 📚 Semenov 补充：本页基于 Semenov 等《ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies》Ch.1 §4-5，系统介绍先进 CMOS 工艺缩放带来的 ESD 可靠性挑战，重点涵盖 Cu 互连、low-k ILD 和 ESD 设计窗口的缩窄效应。与 ESD基础概念与设计原则 的 Voldman 视角互补。 前后关系 前置知识： ESD基础概念与设计原则 — ESD 物理本质与基本设计原则 CMOS工艺与器件 — CMOS 工艺基础 本书内部链条： 先进CMO...