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SOI ESD设计
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MOSFET器件物理与缩放
MOSFET器件物理与缩放 Sze Ch.6 是 MOSFET 器件物理的权威参考，系统覆盖了从基本 I-V 特性到先进器件结构的完整知识体系。本章内容涵盖：反型层电荷与电荷片模型、阈值电压、亚阈值特性、速度饱和与弹道输运、非均匀掺杂、恒场缩放理论、热载流子效应、先进 MOSFET 结构（SOI、3D 结构、功率 MOSFET）、以及单电子晶体管。本文基于 Sze Ch.6 全章提炼。 前后关系 前置知识： MIS电容器与MOS结构 — MOS 电容与能带分析 半导体载流子输运现象 — 迁移率、速度饱和 短沟道效应与弱反型 — 已有 Gray/Razavi 视角 本书内部链条： MOSFET器...