此标签下有1条笔记。
高速IO接口ESD保护设计
高速IO接口ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.6 概述 高速 I/O 电路中，ESD 保护电路的寄生参数（尤其是寄生电容）对主电路性能的影响极为显著。ESD 保护电路在 I/O 焊盘上添加的额外寄生电容——主要是反偏 PN 结电容——具有高度非线性，不仅限制频率响应，还会降低线性度。本章通过三个案例研究（12-bit 20 MS/s ADC、14-bit 125 MS/s ADC 的 Volter...