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半导体载流子输运现象
半导体载流子输运现象 载流子输运是半导体器件工作的物理基础。从漂移、扩散到热发射、隧道效应，不同输运机制在不同器件中占主导地位。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.5 提炼，涵盖 8 种输运机制。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度 半导体能带理论与带隙 — 有效质量 本书内部链条： 半导体载流子输运现象（本文）→ pn结电流电压特性与击穿 — 漂移+扩散决定 I-V → 金属半导体接触与肖特基势垒 — 热发射/隧道效应主导 M-S 接触 → 隧道二极管与共振隧道二极管 — 隧道效应器件 →...
IMPATT二极管与微波二极管
IMPATT二极管与微波二极管 Sze Ch.9 系统阐述了 IMPATT 二极管物理：从碰撞电离雪崩+渡越时间产生动态负阻的基本原理（§9.1），到各种结结构（Read/p-n/p-i-n/双漂移/hi-lo）的静态特性（§9.2），小信号分析与阻抗表达（§9.3），功率与效率极限（§9.4），噪声行为（§9.5），器件设计与频率缩放（§9.6），以及 BARITT（§9.7）和 TUNNETT（§9.8）二极管。本文基于 Sze Ch.9 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — 雪崩击穿与碰撞电离基础 隧道二极管与共振隧道二极管 — 另一类微波负阻器件 半导体载流子...